《金矽面壘型探測器(GB/T 13178-2008)》由中國核工業集團公司提出。本標準由全國核儀器儀表標準化技術委員會歸口。本標準起草單位:中核(北京)核儀器廠。本標準主要起草人:李志勇。
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面壘型半導體探測器
面壘型半導體探測器是射線測量中半導體探測器的一種類型。套用較多的是金矽面壘型,以經過適當處理的單晶片表面蒸發上一層薄金而製成。
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發展歷史 基本原理 半導體探測器的特點 P-N結半導體探測器 鋰漂移型探測器 -
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定義 簡述 歷史 發展 里程碑 -
電晶體[半導體器件]
(FET)。 電晶體有三個極;雙極性電晶體的三個極,分別由N型跟P型組成...的研究小組,研製出一種點接觸型的鍺電晶體。電晶體的問世,是20世紀的一項重大...整流器還要好。 在第二次世界大戰期間,不少實驗室在有關矽和鍺材料的製造和...
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α 粒子探測
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原理 發展現狀 常用α探測器 α 粒子間接探測原理 -
ASM-I型土壤測氡儀
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