個人簡介
金應榮， 男，工學博士。1985年畢業於重慶大學冶金及材料工程系，1988年到四川航天公司工作，1999年到四川大學大學攻讀博士學位，2002年到西華大學工作，現為西華大學材料科學與工程學院副院長、研究員、碩士生導師。
教育背景
1981.09-1985.07 重慶大學冶金及材料工程系 ，工學學士。1985.09-1988.07 哈爾濱工業大學材料系 ， 工學碩士。1999.09-2002.06 四川大學材料科學與工程學院 ，工學博士。
工作履歷
1988.07-1999.08 四川航天公司 ， 先後擔任助理工程師，工程師和高級工程師2002.06-今 西華大學 ，先後擔任研究生部副部長，材料科學與工程學院副院長
研究領域
光電子材料與器件，半導體材料與器件。
科研項目
1) 鋁酸鹽長餘輝發光材料，西華大學人才基金，2002.07－2007.05，負責；2) 優質碘化鉛單晶體生長及碘化鉛探測器研製，四川省教育廳重點項目，2007.01-2008.12，負責；3) CoO2/Ca2CoO3超晶格熱電材料的界面穩定性研究，教育部春暉計畫項目，2006.12-2009.12，負責；4) 具有大面積pn結的U型熱電發電器研究，教育部春暉計畫項目，2010.12-2012.12，。
負責研究概況
主要從事光電子材料與器件和半導體材料與器件方面的研究工作，在光電子材料的製備方面取得一定進展。發表文章30多篇。
發明專利
學術創新點如下：1〕觀察到了碘化鉛熔體與液態鉛分層的現象，修訂了Pb-I相圖，提出了生長碘化鉛單晶體的新方法；2）在Ca3Co4O9熱電材料的常溫常壓緻密化燒結方面取得了一定進展。
主講課程
主講《材料製備技術》、《功能材料與智慧型材料》等。
論文與專利
1 Yi He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yingrong Jin, Zhiyu He, Baojun Chen, Improved growth of PbI2 single crystals, Journal of Crystal Growth, Volume 300, Issue 2, March 2007, Pages 448-4512 Zhu, X. H., Wei, Z. R, Jin, Y. R.; Xiang A. P., Growth and characterization of a PbI2 single crystal used for gamma ray detectors, Crystal Research and Technology, Volume 42, Issue 5, March 2007, Pages 456-4593 金應榮，朱世富，趙北君，陳松林，何福慶，CdSe核輻射探測器中的MIS接觸電極，半導體學報，25卷，2004年，1301-13054 李麗霞，金應榮，賀毅，趙欣，U型坩堝內碘化鉛熔體中的氣泡分析，西華大學學報(自然科學版)，27卷，2008年5月，56-57,685 金應榮，李麗霞，賀毅，朱興華，U型坩堝上升法生長碘化鉛單晶體，西華大學學報(自然科學版)，26卷，2007年1月，31-326 王鵬飛，金應榮，魯雲，劉磊，陳建文，王琴，溫差對CaMnO3和Ca3Co4O9熱電器件輸出功率的影響，西華大學學報(自然科學版)，30卷，2011年3月，78-817 趙欣，金應榮，朱興華，垂直布里奇曼法生長碘化鉛單晶體，材料科學與工藝，14卷，2006年8月，428-4318 金應榮，朱興華，賀毅，朱世富，趙北君，欒道成，用碘化鉛熔體生長單晶體的方法，發明專利，金應榮，周華，欒道成，劉錦雲，賀毅，牛天梅，曾啟，趙遠東，鏇轉式高精度氣密性檢測裝置，發明專利，
