鄭立榮

鄭立榮教授2001年畢業於瑞典皇家理工學院獲博士學位。在電子科學技術、積體電路和通信領域成績斐然,並有重要影響。

基本信息

簡介

【姓名】 鄭立榮
【職稱】
【研究領域】 工業通用技術及設備;物理學;無線電電子學;
【研究方向】
【發表文獻關鍵字】
【工作單位】 中國科學院上海冶金研究所
【曾工作單位】 中國科學院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海

學術成果產出明細表

中國期刊全文資料庫 共16篇

[1]曾建明,張苗,高劍俠,宋志棠,鄭立榮,王連衛,林成魯.鈦酸鉍薄膜的室溫脈衝雷射沉積研究[J]壓電與聲光.1999,(02)
[2]曾建明,林成魯,鄭立榮.O~+注入SrBi_2Ta_2O_9鐵電薄膜的研究[J]壓電與聲光.1999,(03)
[3]林成魯,王連衛,陳向東,沈勤我,鄭立榮,倪如山.矽上β-FeSi_2的超高真空鍍膜外延及其光學性質研究[J]光電子·雷射.2000,(03)
[4]陳逸清,鄭立榮,林成魯,鄒世昌.脈衝準分子雷射PZT薄膜的製備[J]中國雷射.1994,(08)
[5]陳逸清,鄭立榮,張順開,林成魯,鄒世昌.脈衝準分子雷射PZT鐵電薄膜沉積及其特性研究[J]科學通報.1995,(01)
[6]鄭立榮,陳逸清,林成魯,鄒世昌.新型鐵電存貯器和鐵電薄膜的脈衝雷射沉積[J]物理.1995,(01)
[7]鄭立榮,陳逸清,許華平,辛火平,宋世庚,林成魯.Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3鐵電薄膜的脈衝準分子雷射沉積[J]功能材料與器件學報.1995,(02)
[8]鄭立榮,陳逸清,張順開,林成魯,鄒世昌.SOI上PZT鐵電薄膜的脈衝準分子雷射沉積及其快速退火研究[J]半導體學報.1996,(03)
[9]鄭立榮,林成魯,許華平,鄒世昌,奧山雅則.鐵電薄膜的漏電行為及其電滯回線形變[J]中國科學E輯:技術科學.1996,(06)
[10]許華平,鄭立榮,陳逸清,林成魯,鄒世昌.集成鐵電存儲器──新型快速、抗輻照、非揮發性存儲器件[J]微電子學與計算機.1996,(01)

相關詞條

相關搜尋

熱門詞條

聯絡我們