郝東泉

2011年只有27歲,是康奈爾大學的在讀博士。 個人經歷 06年8月開始在康奈爾大學攻讀材料科學與工程的博士學位。

基本信息

個人簡介

2011年只有27歲,是康奈爾大學的在讀博士。

個人經歷

郝東泉先生本科在加州伯克利大學就讀,並取得了材料科學與化學工程的雙學士學位,郝東泉博士曾於02年至06年在著名的伯克利勞倫斯國家實驗室工作,主要從事鋁鎵氮(AlGaN)高電子遷移率電晶體、退火溫度和時間對應變矽位錯分布的影響等方面的研究工作。06年8月開始在康奈爾大學攻讀材料科學與工程的博士學位。

主要研究領域

包括:銦鎵氮(InGaN)光伏器件的設計與製造,新型的石墨烯—碳化矽(SiC)異質結雙極型電晶體器件的製造等。

相關詞條

相關搜尋

熱門詞條

聯絡我們