個人業績
在國內率先實現了寬頻寬、高功率超輻射發光二極體模組及小批量產業化，器件指標達到國際先進水平；開展了電子迴旋共振電漿化學氣相沉積技術實現光學膜等新型半導體器件工藝的研究，為提高半導體光電子器件工藝水平和器件水平發揮了較好的作用；開展了長波長面發射半導體雷射器研究和量子阱TCAD研究，取得了有重要意義的階段成果。曾獲國家科技進步二等獎一項，中國科學院一等獎一項、二等獎一項。在國內外學術刊物發表論文三十多篇，申請發明專利十項。他主持並完成了863項目等國家項目多項。
他所在的實驗室有國際上較先進的設備，具備很好的各種半導體光電子器件研究和生產所需的研究條件。目前主要的研究興趣為新型半導體光電子器件的研製和新型半導體器件工藝研究等。
研究項目
“863”項目：“量子阱TCAD”(1997－2000)
“863”項目：“可調諧長波長垂直腔面發射雷射器”(2001－2004)
代表性論著
Manqing Tan, Yongchang Lin， Study of reflection filter with high reflectivity and narrow bandwidth，Appl. Opt. Vol36(4): 827 – 830，1997,2
譚滿清，林永昌，過渡金屬超薄膜的光學性質及其套用”， 中國雷射，Vol. A24(4):323 -326，1997,4
譚滿清，茅冬生，ECR PLASMA CVD法澱積R<10-4的1310nm光電子器件增透膜技術的研究，光學學報, ,19(2): 235-238， 1999,2
譚滿清，茅冬生，ECR PLASMA CVD法澱積980nm大功率半導體雷射器端面光學膜技術”, 中國雷射, Vol.A26(9) ，1999,9
譚滿清，茅冬生，InP襯底表面的H2/N2等離子清潔技術，半導體學報, Vol 20(10) ，1999/10
譚滿清，茅冬生，ECR PLASMA CVD法澱積808nm大功率半導體雷射器光學膜工藝研究”，半導體學報, Vol20(7):589- 592, 1999 /7
Manqing Tan, Yongchang Lin ，Design Method of reflection filter, Optical Interference Coatings, Optical Society of America, Loews Van- tana Canyon Re sort, Tucson, Arizona, Vol.9, 308-309, June 1998
D. Mao, M. Tan, L. Chen ，Application of dielectric thin film by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition for semi- conductor photoelectronic devices，Proceedings of SPIE, China,Vol.3547,315-318 ，Sept. 1998
譚滿清,茅冬生，GaAs表面清洗技術，中國專利, 98124973.6,申請日: 1998年11月25日，1998
譚滿清,茅冬生，InP表面清洗技術，中國專利, 99100810.3,申請日: 1999年2月14日, 1999
郭良等，排名第6位，“670nm半導體量子阱雷射器批量生產“，獲國家科技進步二等獎，中國科學院科技進步一等獎，2000
肖建偉等，排名第7位，高功率雷射二極體列陣，中國科學院科技進步二等獎，2001
