謝泉[民進貴州省第七屆委員會副主任委員]

謝泉,男,漢族,湖南邵陽人, 出生於1964年5月24日、民進會員、博士後、博士、教授、博士生導師,貴州大學新型光電子材料與技術研究所所長,教育部電子科學與技術專業教學指導分委員會委員,中國儀器儀表學會理事,曾任貴州省第9屆省政協委員,現任民進貴州省第七屆委員會副主任委員。

貴州省第十二屆全國人大代表,貴州大學大數據與信息工程學院院長,貴州大學新型光電子材料與技術研究所所長

基本信息

謝泉:博士後、博士、教授、博士生導師、碩士生導師,貴州省首屆百層次人才,貴州省省管專家、貴州省優秀青年科技人才,貴州大學大數據與信息工程學院電子科學與技術學科帶頭人,貴州省先進光電子材料與技術創新團隊負責人,貴州省電子科學與通信工程人才基地負責人,貴州省教育廳電子科學與技術特色重點學科負責人,中國中小企業融資項目評審諮詢專家,科技部863課題評審專家,科技部國際合作課題評審專家,國家自然科學基金同行評議專家,教育部電子信息類專業教學指導委員會委員,教育部電子信息類專業教學指導委員會教材編寫委員會委員,中國儀器儀表學會高級會員,貴州省科技廳新材料專家組成員,貴州省科學決策學會常務理事,電子元件與材料期刊理事,國際期刊Phys. B等多家期刊特約審稿人,民進貴州省委員會副主任委員,貴州省第十二屆全國人大代表,貴州大學大數據與信息工程學院院長,貴州大學新型光電子材料與技術研究所所長,民進貴州大學基層委員會主任,貴州大學留學歸國人員聯誼會會長,貴州省留學歸國人員聯誼會常務理事,貴州省第八屆青年聯合會副主席,民進貴州省委第五、六屆副主委,貴州省第九、十屆政協委員。

研究方向

環境友好先進光電子材料與器件、感測器與感測系統、材料模擬與技術

主要經歷

本科:中南大學材料科學與工程系金屬物理專業

碩士:湖南大學物理科學與微電子學院理論物理專業

博士:湖南大學化學化工學院無機非金屬材料專業

博士後:中國科學院上海光學精密機械研究所材料科學與工程博士後流動站

1990,7—1993,2湖南邵陽玻璃廠技術科工作

1993,3—1998,6湖南大學物理科學與微電子學院工作

1998,6—2004,2長沙理工大學物理與微電子學院工作

其中:

1998,6—2000,6中國科學院上海光學精密機械研究所材料科學與工程博

士後流動站工,

2001,10—2002,10日本saitama大學大學院機能材料工學科訪問學者

2004,2— 貴州大學大數據與信息工程學院電子科學與技術系工作

其中:2015,1,8—2016,1,7,北京市順義區政府副區長(掛職1年)

所獲榮譽

1.2015年獲貴州省首屆研究生教學成果二等獎

2. 2014年獲貴州省首批優秀博士生導師

3.2012年獲貴州省科技進步三等獎

4.2009年貴州省首屆青年科技創新人才獎

5.2009年獲貴州大學優秀科研特等獎

6.2007年獲貴州省五一勞動獎章

7. 2007年獲第2屆中國歸國僑眷“科技人才創新”獎

8. 2006年獲全國各民主黨派、工商聯、無黨派人士為全面建設小康社會作貢

獻全國先進個人

9. 2006年獲為全面建設小康社會作貢獻民進中央全國先進個人

10. 2006年獲貴州省第2批優秀科技工作者

11. 2005年獲民進中央全國優秀會員

12. 2007年獲貴州大學逾十年教齡“教書育人風範獎”

13.參加完成的科研課題獲2001年國家自然科學二等獎等

社會榮譽

2007年貴州省五一勞動獎章獲得者,2007獲中國僑聯第二屆歸僑僑眷“科技創新人才獎”。

2006年獲全國各民主黨派、工商聯以及無黨派人士為全面建設小康社會作貢獻先進個人, 民進中央為全面建設小康社會作貢獻全國先進個人。

2005年貴州省第2批優秀科技工作者,2005年民進中央全國優秀會員。

科研榮譽

謝泉在任湖南大學套用物理系套用物理教研室主任、實驗室主任期間,主持完成套用物理專業教學計畫的修訂,積極進行教學改革的研究,並獲湖南大學教學改革成果三等獎。

在任長沙理工大學物理與電子科學學院院長助理期間,積極協助院長開展各項工作,特別在人才引進和科研工作方面取了一定的成績。擔任民進貴州大學基層委員會主任和花溪支部主任,積極組織和參加該基層委員會及支部的各項活動及民進省委和兄弟支部、貴州大學統戰部組織的各項社會公益活動。作為貴州省青年聯合會副主席,除負責教育界別的工作外,還積極參加團省委組織的各項活動,積極參加學術活動,並在2006年“科技創新--打造科技貴州”活動中遞交了論文等。

參政議政上,在2005-2006年,向民進省委提交了3份提案,都被民進省委採用,並向省里做了匯報,其中一份發表在“貴州民進”2006年第3期上,又負責民進省委的一個重點調研課題。

先後主講十餘門本科生、研究生、博士生課程,平均每學期為本科生、研究生、博士生講授5門課程,每學期平均授課課時200學時左右。並於1994年被評為湖南大學套用物理系教書育人先進個人,1997年9月獲湖南大學教學成果三等獎,1997年獲湖南大學套用物理系青年教師講課比賽專業組一等獎, 2006年指導的本科生畢業論文獲貴州大學本科生畢業論文特等獎和優秀獎各一名。 現獨立招生在讀碩士生13名、博士生4名。

自1990年參加工作以來,謝泉一直從事材料物理方面的教學科研工作,先後完成的科研課題有:國家級3項,省部級4項。在研國家級項目3項,省部級科研課題7項。並在世界上首次測試出β-FeSi2薄膜在強磁場30T下巨磁阻達到40%,實驗結果發表後被2003年5月20號的日本工業新聞報導。同時,在國內外核心以上期刊上發表論文70餘篇。其中有20餘篇被SCI檢索。

科研項目

主持的科研項目

[1]貴州省高層次創新型人才-百層次培養項目,貴州省科技廳,2015.01-2017.12,60萬,主持。

[2]貴州省特色重點學科建設-電子科學與技術,貴州省教育廳,2014.10-2017.10,20萬,主持。

[3]電子科學與技術品牌特色專業建設,貴州大學品牌特色專業建設項目,契約號: PTJS201302,2014.1-2016.12,60萬,主持,教學科研項目;

[4]貴州省電子科學與通信工程技術人才基地,貴州省委組織部貴州省第四批人才基地項目,2013.12-2016.12,100萬,主持;

[5]基於環境友好半導體材料β-FeSi、MgSi的光電子器件設計與研究,國家自然科學基金,契約號:61264004,2013.1-2016.12, 50萬,主持;

[6]環境友好半導體光電子材料MgSi紅外感測器的開發研究,貴州省教育廳125重大專項,契約號:黔教合重大專項字[2012]003,2012.10-2015.12,80萬,主持;

[7]貴州省先進光電子材料與技術創新人才團隊,貴州省科技創新人才團隊建設專項資金,契約號:黔科合人才團隊[2011]4002, 2011.10-2014.10,31.5萬,主持;

[8]矽化物LED光電子器件開發,貴州省科技攻關項目,契約號:黔科合GY字[2011]3015,2011.6-2014.5,35萬,主持;

[9]半導體材料Si、Ge及SiGe合金液態凝固過程中的遺傳特性研究,貴州省國際科技合作計畫項目,契約號:黔科合外G字[2012]7004,2012.6-2014.5,10萬,主持;

[10]新型環境友好半導體材料β-FeSi及其光電子器件的研究,科技部國際合作專項項目,契約號:2008DFA52210, 2008.1-2010.12,80萬,主持;

[11]新型環境友好半導體材料β-FeSi薄膜的製備及其在太陽能電池中的套用研究,貴州省信息產業廳項目,契約號:0831,2008.6-2010.6,10萬,主持;

[12]環境半導體材料CaSi的製備與套用研究,國家自然科學基金項目,契約號:60766002,2008.1-2010.12, 20萬,主持;

[13]環境半導體材料β-FeSi的物理基礎與關鍵技術,國家自然科學基金項目,契約號:60566001,2006.1-2008.12,20萬,主持;

[14]新型環境半導體材料β-FeSi的物理基礎與關鍵技術研究,貴州省優秀科技教育人才省長專項基金,契約號:黔省專合字(2005)365號,2006.1-2008.12,6萬,主持;

[15]大尺寸納米薄膜環境半導體材料β-FeSi的製備、光電子特性與套用研究,國家人事部留學人員科技活動擇優資助項目,2005.1-2006.12,4萬,主持;

[16]新型環境半導體材料β-FeSi的物理基礎與套用研究,貴州省科技廳國際科技合作項目,契約號:黔科合G(2005)400102,2005.1-2007.12,4萬,主持;

[17]薄膜環境半導體材料β-FeSi的製備,光電子特性與套用研究,教育部留學回國科研基金,契約號:教外司(2005)383,2005.1-2006.12,3萬,主持;

[18]摻雜(Mn、Cr)環境半導體材料β-FeSi的研究,貴州省優秀青年科技人才培養計畫,契約號:黔科合人20050528,2005.1-2008.12,21萬,主持;

[19][15]新型環境半導體材料β-FeSi的物理基礎與套用研究,貴州大學引進人才科研項目,2004.6-2006.12,8萬,主持;

[20]大尺寸納米薄膜環境半導體材料β-FeSi的製備、光電子特性與套用研究,貴州省留學人員科技項目,契約號:黔人項目(2004)03;2005.1-2006.12,3萬,主持;

[21]納米薄膜環境半導體材料β-FeSi的製備、光電子特性與套用研究,省委組織部高層人才科研特助項目;2006.1-2008.12,5萬,主持;

[22]環境半導體材料β-FeSi的物理基礎與關鍵技術,教育部博士點專項科研基金,契約號:20050657003, 2005.1-2006.12,6萬,主持;

[23]大尺寸納米薄膜環境半導體材料β-FeSi的開發與套用研究,貴州省教育廳重點項目,契約號:黔教科2004103,2004.9-2006.12,3萬,主持;

[24]摻雜(Mn、Cr)環境半導體材料β-FeSi的研究,教育部科學技術重點項目,契約號:206133,2005.1-2007.12,2萬,主持;

附指導的博士、碩士申請的項目

[1]磁控濺射製備環境半導體b-FeSi及其物性研究,貴陽市科技局大學生創業科技項目,契約號:2007築科計契約字第6-3號,2007.12-2008.12,1.2萬,04級博士生張晉敏主持;

[2]環境友好半導體材料CaSi的物理基礎及關鍵技術的研究。貴州省教育廳重點項目,契約號:No.2006212,2006-2009,05級博士生楊吟野主持,

[3]磁控濺射製備環境半導體CaSi及其性質研究,貴州省科技廳自然科學基金項目,契約號:黔科合No.(2007)2177,2007-2010,05級博士生楊吟野主持

[4]新型環境半導體材料CaSi的物理基礎與關鍵技術研究。貴陽市科技計畫項目,契約號:No. (2006)21-4,2006-2009,1.5萬,05級博士生楊吟野主持

[5]MgSi電子結構及光學性質的研究及其套用,貴陽市科技計畫項目,契約號:築科計(2007)6號),2008.01-2009.12,2萬,06級博士生陳茜主持;

[6]MgSi電子結構及光學性質的研究,貴州大學研究生創新基金,契約號:省研究理工2007003,2007.9-2009.4,06級博士生陳茜主持;

[7]磁控濺射製備BaSi薄膜材料及其光電特性研究,貴州省科技廳自然科學基金項目,契約號:黔科合J字[2010]2002號,2010.6-2012.12,06級博士生楊子義主持,

[8]環境半導體材料BaSi的製備工藝及其光電特性研究,貴陽市科技計畫項目,契約號:[2009]築科大契約字第6號,2009.10-2011.09,06級博士生楊子義主持,

[9]環境半導體材料MgSi的磁控濺射製備及其性質研究,貴州省科技廳自然科學基金項目,契約號:黔科合J字[2009]2059號,2009.6-2012.5,4萬,07級博士生肖清泉主持;

[10]環境半導體材料MgSi的製備及其光電性質研究,貴陽市科技計畫項目,契約號:[2008]築科計契約字第15-3號,2008.10-2010.9,1.2萬,07級博士生肖清泉主持;

[11]液態Si凝固過程中團簇結構形成和演變特性的研究,貴州省研究生創新基金,契約號:省研理工2010010,2009.10月-2011.4,09級博士生高廷紅主持;

[12]摻雜(Mr、Cr)及不同取向CaSi晶體電子結構及光學性質的研究,貴州大學研究生創新基金,契約號:校研理工2006004,2007.3-2009.2,06級碩士生趙鳳娟主持;

[13]新型環境友好半導體材料RuSi的電子結構及光學性質的研究,貴州大學研究生創新基金,契約號:校研理工2009010,2008.11-2010.2,07級碩士生崔冬萌主持;

[14]摻雜(Cr、Mn)環境半導體材料β-FeSi的研究,貴陽市科學計畫項目,契約號:2007築科計契約字第6-1號,1.3萬,2007.12-2009.12,05級碩士生梁艷主持;等。

論文發表

[1]Ma R, Wan M, Huang J,等. Calculation of electronic structure and mechanical properties of DO3–Fe75-xSi25Nix intermetallic compounds by first principles[J]. International Journal Of Modern Physics B, 2015: 1550087

[2]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Molecular dynamics simulation of nanocrystal formation and deformation behavior of TiAl alloy[J]. Computational Materials Science, 2015,98: 245-251(SCI、EI)

[3]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Influence of the isothermal process at glass transition temperature on growths of Frank–Kasper polyhedral clusters in TiAlalloy[J]. Journal Of Non-crystalline Solids, 2014,406: 95-101(SCI、EI)

[4]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Network connectivity in icosahedral medium-range order of metallic glass: A molecular dynamics simulation[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,406: 31-36(SCI、EI)

[5]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Growth of icosahedral medium-range order in liquid TiAl alloy during rapid solidification[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,394-395: 16-21(SCI、EI)

[6]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, et al.Glass formation and icosahedral medium-range order in liquid Ti-Al alloys[J]. Computational Materials Science, 2014: 502–508SCI(SCI、EI)

[7]Qin Xinmao, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Xie Quan. Molecular Dynamics Simulation of Graphene Bombardment with Si Ion[J]. Journal of Molecular Structure,2014,1061:19-25.(SCI)

[8]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Qin Xinmao, Xie Quan. Evolution of icosahedral clusters during the rapid solidification of liquid TiAl alloy[J].Physica B: Condensed Matter, 2014,440 :130–137.(SCI)

[9]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin. Electronic structure and ferromagnetism of FeNiSi, FeCoSi, FeCrSiand FeSi from first principles[J]. Intermetallics. 2014, 46:12-17.(SCI)

[10]YU Hong, XIE Quan, CHEN Qian.Effect of Mg-Film Thickness on the Formation of Semiconductor MgSi Films Prepared by Resistive Thermal Evaporation Method[J]. Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science Edition), 2014, 29(3): 612-616.(SCI)

[11]Gao Tinghong,Yan Wanjun,Guo Xiaotian, Qin Yunxiang,Xie Quan. Structural evolutions and properities of germanium clusters during rapid cooling processes[J]. Modern Physics Letters B,2013,27 (32):1350241-1-9.(SCI)

[12]Chen Qian, Xie Quan, Xiao Qingquan, Zhang Jinmin. The influence of lattice deformation on the elastic properties of MgSi[J]. Science China-Physics, Mechanics and Astronomy, 2013,56(4): 701-705.(SCI)

[13]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin, Yan Wanjun, Guo Xiaotian. Theoretical study on the electronic structures and magnetism of FeSi intermetallic compound[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2013,552(3): 324-328.(SCI、EI)

[14]MA Rui, XIE Quan, HUANG Jin, GUO Xiaotian, YAN Wanjun. First Principles Study on Elastic Constants, Ferromagnetism and Electronic Structures of Alloyed FeSi Doped with Mo, Ti or Nb [J]. Chin.Phys. Lett. 2013, 30(12): 127104.(SCI)

[15]Ma Rui, Huang Jin, Xiong Xicheng, Fan Menghui, Yan Wanjun, Xie Quan. Structure stability and ferromagnetism of carbon alloying FeSi compound from first principles calculations[J].physica status solidi (c), 2013, 10(12):1750-1752.(EI)

[16]Yu Hong, Xie Quan, Chen Qian. Effects of annealing on the formation of MgSi film prepared by resistive thermal evaporation method[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2013, 24(10):3768-3775.(SCI/EI).

[17]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Melting kinetics of bulk SiC using molecular dynamics simulation[J]. SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2013, 56(9): 1699-1704.(SCI/EI)

[18]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Structural Properties of Liquid SiC during Rapid Solidification[J]. The Scientific World Journal. 2013, 2013: 7pages.(SCI)

[19]Yan Wanjun, Xie Quan, Gao Tinghong, Guo Xiaotian. Microstructural evolution of SiC during melting process[J]. Modern Physics Letters B, 2013, 27(31): 1350231(11pages) .(SCI)

[20]Yan Wanjun, Gao Tinghong, Guo, Xiaotian, Xie, Quan. Structural characteristics of liquid SiC during quenching process[J]. Physica Status Solidi (C), 2013, 10(12):1777-1780.(EI)

[21]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qing Yunxiang, Xie Quan. Structural properties in liquid Si during rapid cooling processes[J]. Physica B: Condensed Matter, 2013, 419: 28-31.(SCI/EI)

[22]Xiong Xicheng, Xie Quan, Yan Wanjun. Relationship between the thickness of β-FeSithin film and the solar photo wavelength[J]. Chinese Journal of Mechanical Engineering, 2012, 25(2): 315-319.(SCI)

[23]Zhu Changyin, Xie Quan. Simulation study of microstructure transition of liquid Ge during rapid cooling solidification[A]. Materials Science Forum, 2011:1306-1309.(EI)

[24]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Thermal process of iron silicides prepared by Magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 122-125.(EI)

[25]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Atomic diffusion in the interface of Fe/Si prepared by magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 126-129.(EI)

[26]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of Heat Treatment on Growth of BaSiFilm On Si (111) Substrates[A]. Materials Science Forum, 2011:1273-1276.(EI)

[27]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of annealing temperature on the structure and surface feature of BaSifilms grown on Si (111) substrates[J]. Physics Procedia, 2011,11: 118-121.(EI)

[28]Xiao Qingquan, Xie Quan, Zhao Kejie, et al. Effect of Sputtering Pressure on the Formation of Semiconducting MgSi Films[J]. Materials Science Forum, 2011,663-665: 166-169.(EI)

[29]Xiao Qingquan, Xie Quan, Yu Zhiqiang, et al. Influence of sputtering power on the structural and morphological properties of semiconducting MgSi films[J]. Physics Procedia, 2011,11: 130-133.(EI)

[30]Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of MgSi films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2011,257(17): 7800-7804.(SCI、EI)

[31]Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al.Annealing effects on the formation of semiconducting MgSi film using magnetron sputtering deposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002(five pages).(EI)

[32]Gao Ran, Xie Quan. Study on the electronic structure and optical properties of the environmentally friendly semiconductor CaSi[J]. Physics Procedia, 2011,11: 99-102.(EI)

[33]Chen Qian, Xie Quan. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of MgSi epitaxial on Si (111)[J]. Physics Procedia, 2011,11: 134-137.(EI)

[34]Zhang Jinmin, Xie Quan, Borjanović V, et al. Preparation of the Kondo Insulators FeSi by Magnetron Sputtering[J]. Materials Science Forum, 2010,663-665: 1129-1132.(EI)

[35]Yang Yinye, Xie Quan. CaSi crystal grown selectively by R.F.MS[J]. Journal of Natural Science of Helongjiang University, 2010,27(4): 542-545.(EI)

[36]Chen Qian, Xie Quan, Zhao Fengjuan, et al.First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained MgSi[J]. Chinese Science Bulletin, 2010,55(21): 2236-2242.(SCI)

[37]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principles study on the electronic structure and optical properties of CrSi[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 46-51.(SCI)

[38]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principle study on the electronic structure of stressed CrSi[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 76-81.(SCI)

[39]Zhao Fenjuan, Xie Quan, Chen Qian, et al.First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of BaSi[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(4): 580-586.(SCI)

[40]Yang Yinye, Xie Quan, Wang Yi, et al. Directly Grown CaSi Films on Si(100) Substrate at Various Radio-Frequency Sputtering Power[J]. Journal Of Test And Measurement Technology, 2009,23(5): 402-406.(EI)

[41]Yang Yinye, Xie Quan. Selective Growth of CaSi Film by Annealing the Sputtered Ca Films with Different Thickness[J]. Journal of Material s Science & Engineering, 2009,27(5): 675-678.

[42]Yang Yinye, Xie Quan. A single phase semiconducting Ca-silicide film growth by sputtering conditions, annealing temperature and annealing time[J]. Journal of Materials Science, 2009,44(14): 3877-3882.(SCI、EI)

[43]Zhang Jinmin, Xie Quan, Yu Ping, et al.Preparation of α-FeSiby laser annealing[J]. Thin Solid Films, 2008,516(23): 8625-8628.(SCI、EI)

[44]Zhang Jinmin, Xie Quan, Zeng Wuxian, et al. Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems[J]. Journal of Semiconductors, 2007,28(12): 1888-1894.(EI)

[45]牟雪婷,謝泉,肖清泉,等.石墨和石墨烯填充導電矽橡膠的拉敏特性研究[J].電子元件與材料,2015, 34(7): 24-27

[46]張寶暉,謝泉,肖清泉,等.濺射時間對於MgSi/Si異質結的影響[J].電子元件與材料,2015,34(7): 46-49

[47]楊雲良,廖楊芳,姚震震,等. Mg膜厚度對MgSi半導體薄膜結構及方塊電阻的影響[J].半導體技術, 402015,40(7): 525-530

[48]唐華傑,張晉敏,金浩,等.橢圓偏振研究濺射氣壓對錳膜光學性質的影響[J].紅外與毫米波學報, 2015,34(3): 347-351

[49]范夢慧,謝泉,岑偉富,等. Tc-P共摻雜單層MoS2光電特性的第一性原理計算[J].半導體光電, 2015,4: 013

[50]范夢慧,謝泉,蔡勛明,等.點缺陷對單層MoS2電子結構及光學性質的影響研究[J].原子與分子物理學報, 2015,32(003): 456-462

[51]范夢慧,蔡勛明,岑偉富,等.外壓調製對Cr-Se共摻雜單層MoS2光電特性的影響[J].固體電子學研究與進展, 2015,2: 013

[52]范夢慧,蔡勛明,岑偉富,等.單層MoS1. 89X0. 11電子結構及光學性質的第一性原理計算[J].雷射與光電子學進展, 2015,52(5): 163-170

[53]張學明,馬瑞,謝泉. Ni摻雜量對FeSi合金微波吸收性能的影響[J].電子元件與材料, 2014,33(5): 38-42(中文核心)

[54]閆萬珺,張忠政,郭笑天,等.第一性原理計算V-Al共摻雜CrSi的光電特性[J].光學學報, 2014,34(4): 416002-416007(EI)

[55]馬瑞,謝泉,黃晉.合金化效應對FeSi結構穩定性和力學性能的影響[J].稀有金屬材料與工程, 2014,43(3): 665-770(SCI、EI)

[56]劉懌輝,謝泉,陳茜.矽基外延MnSi薄膜電子結構與光學性質研究[J].材料導報, 2014,28(8): 9-12(中文核心)

[57]覃信茂,謝卓成,謝泉.石墨烯改性研究進展[J].電子元件與材料, 2014,33(3): 1-4(中文核心)

[58]邵飛,張晉敏,唐華傑,等.濺射Ar流量對Mn膜光學常數的影響[J].材料導報, 2014,28(3): 101-103(中文核心)

[59]閆萬珺,張春紅,周士芸,等.第一性原理計算Ti摻雜CrSi的光電特性[J].原子與分子物理學報, 2014,31(1): 167-172(中文核心)

[60]李強,謝泉,馬瑞,等.厚膜電阻的研究現狀及發展趨勢[J].材料導報, 2014,28(7): 31-37(中文核心)

[61]唐華傑,張晉敏,金浩,邵飛,胡維前,謝泉.濺射功率對金屬錳膜光學性質的影響[J].物理學報,2013,62(24):2478031-6(SCI、EI)

[62]肖清泉,謝泉,沈向前,張晉敏,陳茜.Si襯底上低真空熱處理製備單一相MgSi半導體薄膜[J].功能材料,2013,44(4): 585-589.(EI)

[63]余宏,謝泉,肖清泉,陳茜. MgSi半導體薄膜的熱蒸發製備[J].功能材料,2013,44(8):1204-1207.(EI)

[64]余志強,謝泉.功率參數對光電薄膜MgSi擇優取向的影響[J].壓電與聲光, 2013,35(3): 438--440

[65]豐雲,謝泉,高冉,等. K摻雜正交相CaSi電子結構和光學性質的第一性原理計算[J].材料熱處理學報, 2012,33(9): 155-160.( EI)

[66]崔冬萌,賈銳,謝泉,等. RuMnSi的電子結構及光學性質研究[J].稀有金屬材料與工程, 2012,41(10): 1775-1779.(SCI、EI)

[67]閆萬珺,周士芸,謝泉,等. Al摻雜濃度對CrSi電子結構及光學性質的影響[J].光學學報, 2012,32(5): 516003.(EI)

[68]鄭旭,張晉敏,熊錫成,張立敏,趙清壯,謝泉. β-FeSi異質結的製備及性質研究[J].功能材料,2012, 43(11): 1069-1071.(EI)

[69]馬瑞,謝泉,趙清壯.真空熱壓燒結製備FeSi基金屬間化合物[J].材料導報, 2012,26(12): 6-8

[70]沈向前,謝泉,肖清泉,等.磁控濺射靶材刻蝕特性的模擬研究[J].真空, 2012,49(1): 65-69

[71]沈向前,謝泉,肖清泉,等.磁控濺射輝光放電特性的模擬研究[J].物理學報, 2012,61(16): 165101(6pages).(SCI、EI)

[72]王霞,李宗寶,謝泉,等. (Fe, N)雙摻雜MgF電子結構和光學性質的第一性原理研究[J].東北師大學報, 2012,44(3): 101-106.(中文核心)

[73]朱長銀,謝泉,高廷紅.液態鍺快速凝固過程中的分子動力學模擬[J].貴州大學學報:自然科學版, 2011,28(1): 19-22

[74]閆萬珺,周士芸,謝泉,等. Co摻雜β-FeSi電子結構及光學性質的第一性原理計算[J].光學學報, 2011,31(6): 0616003(seven pages) .(EI)

[75]熊錫成,謝泉,閆萬珺. β-FeSi薄膜的厚度與光子波長的關係研究[J].光學學報, 2011,31(5): 0531004(five-pages).(EI)

[76]王朋喬,謝泉,羅倩.摻雜β-FeSi的研究進展[J].材料導報, 2011,25(1): 26-30.

[77]沈向前,謝泉,肖清泉,等.磁控過程的計算機模擬[J].真空, 2011,48(3): 49-54.

[78]高冉,謝泉.金屬問化合物CaSi光學性質的第一性原理計算[J].雷射與光電子學進展, 2011,48(7): 142-148.

[79]崔冬萌,賈銳,謝泉,等. RuSi在應力作用下的第一性原理研究[J].發光學報, 2011,32(9): 907-912.(EI)

[80]朱長銀,謝泉,高廷紅.冷速對液態Ge凝固過程中微觀結構的影響[A]. 2010:389-392.

[81]趙珂傑,謝泉,肖清泉,等.環境友好半導體MgSi薄膜的研究進展[J].中國光學與套用光學, 2010,3(5): 446-451.

[82]余志強,謝泉,肖清泉.基於狹義相對論轉動質量效應的X-ray光譜分析[J].光譜學與光譜分析, 2010,30(4): 1136-1140.(SCI、EI)

[83]余志強,謝泉,肖清泉.狹義相對論下電子自旋軌道耦合對X射線光譜的影響[J].物理學報, 2010,59(2): 925-931.(SCI、EI)

[84]楊子義,謝泉.粒子數表象中諧振子微擾問題的研究[J].信陽師範學院學報:自然科學版, 2010,23(2): 195-198.

[85]楊子義,郝正同,謝泉. BaSi的製備及電子結構的研究[J].材料導報, 2010,20(10):1-4.

[86]楊子義,郝正同,謝泉.正交相BaSi粉晶X射線衍射譜的計算[J].材料導報, 2010,24(2): 72-74.

[87]熊錫成,謝泉,張晉敏,等.基於FeSi薄膜的太陽能電池研究[J].信陽師範學院學報:自然科學版, 2010,23(4): 632-635.

[88]熊錫成,謝泉,張晉敏,等.基於β-FeSi薄膜的異質結研究現狀[J].材料導報, 2010,24(17): 15-20.

[89]肖清泉,謝泉,余志強,等. MgSi半導體薄膜的磁控濺射製備[J].材料導報, 2010,24(9): 5-7.

[90]羅倩,謝泉,王朋喬,等.固液反應球磨技術的研究進展[J].納米科技, 2010,(5): 29-33.

[91]李旭珍,謝泉,陳茜,等. OsSi電子結構和光學性質的研究[J].物理學報, 2010,59(3): 2016-2021.(SCI、EI)

[92]李旭珍,謝泉,陳茜,等.應力下OsSi電子結構和光學特性研究[J].科學通報, 2010,55(9): 746-751.(SCI、EI)

[93]郝正同,謝泉,楊子義. BaSi的製備及電子結構的研究[J].材料導報, 2010,24(20): 1-4.

[94]郝正同,謝泉,楊子義. BaSi晶體結構及X射線衍射譜的研究[J].功能材料, 2010,41(10): 1816-1819.(EI)

[95]郝正同,謝泉,楊子義.磁控濺射法中影響薄膜生長的因素及作用機理研究[J].貴州大學學報:自然科學版, 2010,27(1): 62-66

[96]高廷紅,謝泉,朱長銀,等.冷速對液態CaMg合金快速凝固過程中團簇結構的影響[J].功能材料, 2010,41: 393-396.(EI)

[97]崔冬萌,謝泉,陳茜,等. Si基外延RuSi電子結構及光學性質研究[J].物理學報, 2010,59(3): 2021-2026.(SCI、EI)

[98]陳站,張晉敏,朱培強,等.金屬間化合物FeSi的性質研究[J].功能材料, 2010: 1-4.

[99]周士芸,謝泉,閆萬珺,等. V摻雜CrSi能帶結構的第一性原理計算[J].雲南大學學報:自然科學版, 2009,31(5): 484-488

[100]周士芸,謝泉,閆萬珺,等.錳摻雜二矽化鉻電子結構和光學性質的第一性原理計算[J].光學學報, 2009,29(10): 2848-2853.(EI)

[101]周士芸,謝泉,閆萬珺,等.應力作用下CrSi電子結構的第一性原理計算[J].中國科學: G輯, 2009,39(4): 587-591.

[102]周士芸,謝泉,閆萬珺,等. CrSi電子結構及光學性質的第一性原理計算[J].中國科學: G輯, 2009,39(2): 175-180.

[103]趙鳳娟,謝泉,陳茜,等. BaSi電子結構及光學性質的第一性原理計算[J].中國科學: G輯, 2009,39(2): 260-266.

[104]余志強,謝泉,肖清泉,等.基於Bohr-Sommerfeld量子理論的X射線光譜分析[J].物理學報, 2009,58(8): 5318-5322. (SCI、EI)

[105]余志強,謝泉,肖清泉,等. MgSi晶體結構及消光特性的研究[J].物理學報, 2009,58(10): 6889-6893.(SCI、EI)

[106]謝泉,陳茜,肖清泉,等.開設物理及材料科學類課程情況調查[J].電氣電子教學學報, 2009,31: 24-26.

[107]郝正同,楊子義,謝泉.新型半導體材料BaSi的研究進展[J].材料導報, 2009,23(19): 28-31.

[108]高廷紅,劉讓蘇,周麗麗,等.液態CaMg合金快速凝固過程中團簇結構的形成特性[J].物理化學學報, 2009,25(10): 2093-2100.(SCI、EI)

[109]崔冬萌,謝泉,陳茜,等. Si (001)面上外延生長的RuSi電子結構及光學性質研究[J].光學學報, 2009,29(11): 3152-3156.(EI)

[110]崔冬萌,謝泉,陳茜,等. RuSi電子結構及光學性質的第一性原理計算[J].中國科學: G輯, 2009,39(10): 1431-1438.

[111]陳茜,謝泉,楊創華,等.摻雜MgSi電子結構及光學性質的第一性原理計算[J].光學學報, 2009,29(1): 229-235.(EI)

[112]張晉敏,謝泉,余平,等.雷射掃描磁控濺射Fe/Si膜直接形成α-FeSi[J].功能材料, 2008,39(7): 1087-1090.(EI)

[113]張晉敏,謝泉,梁艷,等.濺射參數對Fe-Si化合物的相形成及結構的影響[J].四川師範大學學報:自然科學版, 2008,31(5): 593-596.

[114]張晉敏,謝泉,梁艷,等. Fe/Si薄膜中矽化物的形成和氧化[J].材料研究學報, 2008,22(3): 297-302.(EI)

[115]閆萬珺,謝泉.摻雜β-FeSi的電子結構及光學性質的第一性原理研究[J].半導體學報, 2008,29(6): 1141-1146.(EI)

[116]肖清泉,謝泉,楊吟野,等.環境半導體材料CaSi的電子結構研究[J].海南師範大學學報, 2008,21(2): 148-152.

[117]肖清泉,謝泉,楊吟野,等.環境半導體CaSi薄膜製備及橢偏光譜研究[J].湖南工程學院學報:自然科學版, 2008,18(4): 37-39.

[118]崔冬萌,任雪勇,謝泉,等.環境友好半導體CaSi晶體生長及其性能研究[J].吉林大學學報:信息科學版, 2008,26(5): 459-464.

[119]陳茜,謝泉,閆萬珺,等. MgSi電子結構及光學性質的第一性原理計算[J].中國科學G輯, 2008,38(7): 825-833.

[120]朱林山,金石聲,苟富均,等.低能入射Si與Si(001)2×1重構表面相互作用過程的分子動力學模擬[J].半導體學報, 2007,28(11): 1748-1755.(EI)

[121]周士芸,謝泉,閆萬珺,等. CrSi能帶結構和光學性質的第一性原理研究[J].功能材料, 2007,38(A1): 379-383

[122]楊創華,謝泉,趙鳳娟,等. CaSi電子結構和光學性質的研究[J].功能材料, 2007,38(A10): 4124-4128

[123]閆萬珺,謝泉,張晉敏,等.鐵矽化合物β-FeSi帶間光學躍遷的理論研究[J].半導體學報, 2007,28(9): 1381-1387.(EI)

[124]閆萬珺,謝泉,楊創華,等. FeMnSi的幾何結構與電子結構的第一性原理研究[J].功能材料, 2007,38(A01): 376-378.

[125]謝泉.納米矽化物環境友好半導體材料的研究進展[J].功能材料信息, 2007,5(5): 11.

[126]任雪勇,謝泉,楊吟野,等.濺射功率對CaSi薄膜性質的影響[J].功能材料, 2007,38(A04): 1519-1521.

[127]梁艷,謝泉,曾武賢,等.退火溫度對磁控濺射製備的β-FeSi薄膜的影響[J].功能材料, 2007,38(A01): 373-375.

[128]金石聲,朱林山,苟富均,等.低能He, Ar, Xe轟擊SiC的蒙特卡諾模擬[J].功能材料, 2007,38(10): 1590-1593.(EI)

[129]陳茜,謝泉,閆萬珺,等. MgSi電子結構及光學性質的研究[J].功能材料, 2007,38(A10): 4119-4123.

[130]曾武賢,謝泉,梁艷,等.不同濺射氣壓對β-FeSi形成的影響[J].功能材料, 2007,38(A01): 367-369.

[131]閆萬珺,謝泉,朱林山,等.固體能帶計算方法[J].貴州大學學報:自然科學版, 2006,23(1): 68-72.

[132]羅勝耘,謝泉,張晉敏,等.熱處理對環境半導體材料β-FeSi形成的影響[J].貴州大學學報:自然科學版, 2006,23(1): 81-85.

[133]謝泉,羅姣蓮,K. Yamada, K. Miyake.NiMn(0.2<x<0.3)在強磁場中的GNR特性研究.第十二屆全國凝聚態物質光學性質學術會議論文(摘要)集,2004,P245.

[134]K.Yamada, K. Miyake, Z. Honda,Q. Xie.Magneto-transport study of beta-Fe-Si alloy system in pulsed high fields up to 30T,The 8th IUMRS Int. Conf. on Advanced Materials,Oct. 8-13, 2003,Yokohama, Japan.(SCI).

[135]K. Yamada, T. Okazaki, Y. Sakisaka, Z. Honda,K. Miyake,Q. Xie,Designed iant magnetoresistances of Ni-Mn and Fe-Si alloy syetem in high fields up to 30T.ISEF 2003 –11th International Symposium on Electromagnetic Fields in Electrical Engineering Maribor,Slovenia, September 18-20,2003,(SCI).

[136]謝泉,劉讓蘇,彭平,徐仲榆,羅姣蓮.炭黑/矽橡膠複合型導電橡膠的導電特性[J].湖南大學學報,2002, 29(2):68-73.

[137]謝泉,侯立松,乾福熹,阮昊,李晶,李進延.濺射氣壓對GeSbTe薄膜光學常數的影響[J].光學學報,2001,21(3):313-316.(EI)

[138]Zheng Caixing, Liu Rangsu, Dong Kejun, Peng Ping, Liu Hairong, Xu Zhongyu,Xie Quan.Simulation study on transition mechanisms of microstructures during forming processses of amorphous metals ,Trans. Nonferrous Met. Soc. China,11(1):(SCI).

[139]謝泉,羅姣蓮,乾福熹.複合型導電矽橡膠的電阻溫度特性研究[J].物理學報,2000, 49(6):1191-1195.SCI.

[140]謝泉,侯立松,阮昊,乾福熹,李晶.濺射參數對GeSbTe薄膜光學常數的影響[J].半導體學報,2001, 22(2):187-192.(EI)

[141]Li Jing, Gan Fuxi, Gu Zhengtian,Xie Quan, Ruan Hao, Liang Peihui.Determination of optical parameters of GeTe semiconductor films after thermal treatment.Optical Materials,2000, 14: 337-343,(SCI).

[142]Xie Quan,Hou Lisong, Ruan Hao, Li Jing, Li Jinyan, Gan Fuxi.Effect of thermaltreatment on the optical constants of Ge:Sb:Te system,Proc. OfSPIE,2000, 4085:117 .(SCI)

[143]Xie Quan,Hou Lisong, Ruan Hao, Li Jinyan, Li Jing, Gan Fuxi,Effect of preparation parameters on the optical constants of GeSbTethinfilm,Proc.OfSPIE,2000, 4085:112.(SCI)

[144]謝泉,羅姣蓮,乾福熹,劉讓蘇,彭平,徐仲榆.炭黑填充複合型導電矽橡膠的導電機理研究及電阻率計算[J],長沙交通學院學報,2000, 16(3):4-7.

[145]謝泉,侯立松,乾福熹,阮昊,李晶,李進延.濺射功率對GeSbTe薄膜光學常數的影響[J].材料研究學報,2000,10:501-504.

[146]李晶,顧錚先,乾福熹,謝泉,阮昊,梁培輝.不同熱處理的GeTe薄膜的光學參數測量[J].光學學報,2000,8:1128-1133.

[147]謝泉,羅姣蓮,劉讓蘇,彭平,王理.磁敏導電矽橡膠的特性及機理[J].材料研究學報,1999,13(6):670-672.

[148]謝泉,羅姣蓮,黃宏偉,乾福熹.填充粒子對複合型導電矽橡膠電阻溫度特性的影響[J].功能高分子學報,1999, 12(4):414-418.

[149]Li Jinyan, Hou Lisong, Ruan Hao,Xie Quan,Gan Fuxi.Effects of sputtering parameters on the optical properties of AgInSbTe phase-change films.Proc. Of SPIE,2000, 4085(5):125.(SCI)

[150]Li Jiyong, Zhou Zheng, Liu Rangsu,Xie Quan,Peng Ping.Microstructural Transitions During the Rapid Cooling Process of Liquid Metal Al,J. Mater. Sci. Technol. 1998, 14(5):461.(SCI)

[151]Liu Rangsu, Li Jiyong, Zhou Zheng, Dong Kejun, Peng Ping,Xie Quan,Zheng Caixing,Stability of Microstructures During Cooling Processes of Al Liquid Metal.Trans. Nonferrous. Met.Soc. China,1998, 8(4):(SCI)

[152]Liu Rangsu, Li Jiyong, Zhou Zheng, Dong Kejun, Peng Ping,Xie Quan.The High-temperature Properties of Microstructure Transitions in Liquid Metal Al,Mater. Sci. Eng.1999, B57: 214.(SCI)

[153]Li Qinghui, Hou Lisong, Li Jinyan,Xie Quan,Gan Fuxi,Optical properties and static optical recording performance of (AgInSbTe)Ofilms using short-wavelength laser.Proc. Of SPIE,2000, 4085(5):133.(SCI)

[154]Li Jinyan, Hou Lisong, Ruan Hao,Xie Quan, Gan Fuxi,Effects of film thickness on the optical properties of AgInSbTe phase change films.Proc. Of SPIE,2000,4085(5):129.(SCI)

[155]彭平,劉讓蘇,謝泉,徐仲榆.退火處理對快凝Ni-Si-B非晶合金電阻溫度特性的影響[J].材料科學與工藝,1999,4:36.

[156]謝泉,羅姣蓮,乾福熹.自然老化對導電矽橡膠電阻特性的影響[J].合成橡膠工業,1999, 22(5):291-293.

[157]謝泉,羅姣蓮,乾福熹.溫度對導電矽橡膠電阻特性的影響[J].特種橡膠製品,1999,20(6):13-16.

[158]謝泉,羅姣蓮,乾福熹.自然老化對導電矽橡膠線性特性的影響[J].合成橡膠工業,2000, 21(1):41-43.

[159]謝泉,侯立松,乾福熹.信息技術的支柱-光存儲[J].衡陽師範學院學報,1999,20(6):1-8.

[160]彭平,劉讓蘇,徐仲榆,蘇玉長,謝泉.熱處理對快凝NiSiB非晶合金熱穩定性的影響[J].功能材料,1999,30(3):281-282.(EI)

[161]李基永,劉讓蘇,周征,謝泉,彭平.液態金屬的初始狀態對凝固微結構影響的模擬研究[J].原子與分子物理學報,1998, 15(2):193-197.

[162]彭平,劉讓蘇,徐仲榆,易雙萍,周征,謝泉,李基永.快速凝固CuAlNi帶壯合金及其形狀記憶特性[J].1999, 7(3):80-82.

[163]李基永,劉讓蘇,周征,謝泉,彭平.液態金屬及其凝固過程的微觀結構轉變特性研究.96年中國材料研討會材料設計與加工,Proceedings of C-MRS.

[164]謝泉,劉讓蘇,徐仲榆,彭平,張友玉.石墨、炭黑及白炭黑在橡膠中的微結構分析[J].電子顯微學報,1998, 17(2):172-175.

[165]謝泉,劉讓蘇,徐仲榆,彭平.白炭黑對導電矽橡膠的線性及電阻特性的影響[J].材料研究學報,1997, 11,(5):559-560.

[166]謝泉,劉讓蘇,徐仲榆,彭平.白炭黑和炭黑含量對導電矽橡膠拉敏特性影響的研究[J].高分子材料科學與工程,1998, 14(1):94-97.

[167]謝泉,劉讓蘇,彭平.Ni-Si-B系非晶合金的結晶度與退火溫度關係的研究[J].湖南大學學報,1995, 22(3):42-46.俄文文摘、化學文摘收錄.

[168]Peng Ping,Liu Rang-su,Xie Quan.The effect of high content of metalloid on resistivity and temperature coefficient of resistivity of amorphous TM-Malloys,MaterialsScience&Engineering B,1996, B38:62-64,(SCI)

[169]Peng Ping,Liu Rang-su,Xie Quan.A Method for estimating total effective conducting electron numbers ofamorphous TM-M alloys with high metalloid content,MaterialsScience&Engineering B,1996, B41:258.(SCI)

[170]彭平,劉讓蘇,謝泉.高類金屬含量Ni基非晶態合金總有效傳導電子數的估算[J].中國有色金屬學報,1997, 7(1):80-83,化學文摘收錄.

[171]李基永,劉讓蘇,周征,謝泉,彭平.液態金屬鋁及其凝固過程的微觀結構轉變特性[J].中國有色金屬學報,1997, 7(3):81.(SCI)

[172]彭平,劉讓蘇,謝泉.高類金屬含量Ni基非晶態合金的電阻溫度特性[J].材料研究學報,1995, 9(5):395-398.

[173]謝泉,劉讓蘇,徐仲榆,彭平,陳林.導電矽橡膠的拉敏特性及導電機理研究[J].特種橡膠製品,1996, 17(5):1-5.

[174]謝泉,劉讓蘇,彭平.Ni-Si-B系非晶合金的結晶度與退火時間的關係[J].湖南大學學報,1997,24(2):14-16.化學文摘收錄.

[175]謝泉,劉讓蘇,彭平,徐仲榆.導電矽橡膠的線性電阻特性研究[J].湖南大學學報,1996, 23(4):22-24.

[176]謝泉,劉讓蘇,彭平,趙玉華,徐仲榆.白炭黑對導電矽橡膠拉敏特性的影響[J].合成橡膠工業,1996, 19(4):229-231.化學文摘收錄.

[177]謝泉.改進專業限選課教學方法[J].高等教育研究,1996,(1):43.

[178]劉讓蘇,彭平,謝泉,趙欽球.高類金屬含量非晶態合金的晶化溫度研究[J].材料科學與工藝,1994, 2(2):10-13.

[179]彭平,劉讓蘇,謝泉,朱正華.非晶態NiSiB合金電阻隨拉應變可逆變化的區域[J].功能材料,1995,26(5):459-461.(EI)

[180]彭平,劉讓蘇,謝泉,薛開武.B原子濃度對非晶態Ni-Si-B系合金電阻應變係數的影響.[J]湖南大學學報,1996, 23(4):25-28.

[181]彭平,劉讓蘇,謝泉.B含量對非晶態NiSiB(x=0,2,4,6,8)合金脆化溫度的影響[J].材料科學與工藝,1996, 4(3):20-24.

[182]彭平,劉讓蘇,謝泉.高類金屬含量Ni基非晶態合金總有效傳導電子數的估算及套用[J].材料科學與工藝,1996, 4(4):112-115.(EI)

[183]謝泉,劉讓蘇,彭平,徐仲榆.自然老化對導電矽橡膠電特性的影響.96年中國材料研討會,Proceedings of C-MRS.

[184]謝泉,劉讓蘇,彭平,徐仲榆.自然老化對導電矽橡膠的線性特性的影響.96年中國材料研討會,Proceedings of C-MRS.等。

任免信息

2017年6月,謝泉任民進貴州省第七屆委員會副主任委員。

授權專利

1、謝泉,張晉敏,肖清泉,梁艷,曾武賢,王衍,馬道京.製備Cr摻雜b-FeSi薄膜的工藝方法.發明授權專利號:ZL 2010 1 0148151.3.授權時間:2012年4月25日,IPC分類號:C23C14/35,C23C14/02,C23C14/16;

2、謝泉,肖清泉,張晉敏,陳茜,余志強,趙珂傑.環境友好半導體材料MgSi薄膜的磁控濺射製備工藝.發明授權專利號:ZL 2010 1 0147304.2.授權時間:2012年7月4日,IPC分類號:C23C14/35,C23C14/58,C23C14/06

3、謝泉,肖清泉,余宏,陳茜,張晉敏.一種單一相MgSi半導體薄膜的製備工藝.國家發明授權專利號:ZL 2012 1 0455881.7.授權時間:2015年3月11日.

4、謝泉,廖楊芳,張寶暉,楊雲良,肖清泉,梁楓,張晉敏,陳茜,謝晶,范夢慧,黃晉,章競予.一種紅外探測器,實用新型專利號:ZL 2015 2 0014583.3.授權時間:2015年5月13日.

5、謝泉,廖楊芳,楊雲良,肖清泉,張寶暉,梁楓,王善蘭,吳宏仙,張晉敏,陳茜,謝晶,范夢慧,黃晉,章競予,一種發光二極體,實用新型專利,證書號:ZL 2015 2 0521746.7,授權日:2015年11月4日

6、謝泉;陳侃;肖淸泉;徐志勇;張忠民;郭笑天;龐雪;邵鵬;陳茜;高廷紅,殺蟲燈,外觀設計專利,證書號:ZL 2015 3 0042457.1,授權日:2015年9月30日

7、謝泉;陳侃;肖淸泉;徐志勇;張忠民;郭笑天;龐雪;邵鵬;陳茜;高廷紅;一種殺蟲燈,實用新型專利,證書號:ZL 2015 2 0098848.2,授權日:2015年10月7日

8、謝泉,廖楊芳,吳宏仙,房迪,王善蘭,劉小軍,梁楓,肖清泉,張晉敏,陳茜,馬瑞,謝晶,范夢慧,黃晉,章競予,一種智慧型車位鎖,實用新型專利,證書號:ZL 2015 2 1119854.8,授權日:2016年5月25日

相關詞條

熱門詞條

聯絡我們