MOS電晶體的輸出電流-電壓特性的經典描述是薩氏方程。
忽略二次效應,對於NMOS管導通時的薩氏方程為:
VGS-Vth:MOS管的“過驅動電壓”
L:指溝道的有效長度
W/L稱為寬長比
Kn稱為NMOS管的導電因子,μn載流子遷移率。
Id的值取決於工藝參數:μn、Cox、器件尺寸W和L、VDS及VGS。
截止區:VGS≤Vth,ID=0;
線性區(三極體區):VDS≤VGS-Vth,漏極電流即為薩氏方程。
MOS(金屬-氧化物-半導體)場效應管,簡稱MOS管(或器件),其核心結構是由導體、絕緣體與構成管子襯底的摻雜半導體這三層材料疊在一起組成的。在電學上MOS管作為一種電壓控制的開關器件。描述NMOS器件在三個區域中性能的理想表達式即為薩氏方程。
MOS電晶體的輸出電流-電壓特性的經典描述是薩氏方程。
忽略二次效應,對於NMOS管導通時的薩氏方程為:
VGS-Vth:MOS管的“過驅動電壓”
L:指溝道的有效長度
W/L稱為寬長比
Kn稱為NMOS管的導電因子,μn載流子遷移率。
Id的值取決於工藝參數:μn、Cox、器件尺寸W和L、VDS及VGS。
截止區:VGS≤Vth,ID=0;
線性區(三極體區):VDS≤VGS-Vth,漏極電流即為薩氏方程。
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釋義 理論方程 半經驗方程 混合物狀態方程 研究方向一得 余 霖秘授治痧要略 歐陽調律羊毛溫證論 隨 霖溫病條辨 吳 瑭葉氏增...錫疇痧症度針 胡鳳昌痧症見聞錄 胡鳳昌張氏溫暑醫旨 張畹香溫病方書 沈...華峰疫證治例 朱蘭台溫病方歌 韓氏溫熱論 葉 桂著 周學海注注穴痧症驗方...
作品目錄: 第一支源於風姓包氏,出自遠古部落首領中國三皇五帝之首包羲字伏羲號黃熊謚太昊後裔,《易經繫辭》載:古者包羲氏之王天下也;《史記》載:伏羲至淳厚...,包羲隨母姓風,為風姓包氏。《元和姓纂》載:包羲太昊娶少典為妃。《史記》載...
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簡介 經歷 軼聞 著述 貢獻是四元術,即多元高次方程組的建立和求解方法.秦九韶的高次方程數值解法和李冶...現在以下三個領域.首先是方程理論.在列方程方面,蔣周的演段法為天元術作了...,但他們推導方程仍受幾何思維的束縛,李冶基本上擺脫了這種束縛,總結出一套固定...
人物簡介 生平經歷 著名軼聞 相關著述 人物貢獻