相關詞條
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可關斷晶閘管
可關斷晶閘管是一種通過門極來控制器件導通和關斷的電力半導體器件。GTO既具有普通晶閘管的優點（耐壓高、電流大、耐浪涌能力強、價格便宜），同時又具有GTR...
簡述 結構 特性 主要參數 檢測 -
可關斷可控矽
可關斷可控矽GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦稱門控可控矽。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時可控矽能自行關斷。
簡介 估測關斷增益βoff的方法 注意事項： -
門極可關斷晶閘管
門極可關斷晶閘管是一種具有自關斷能力和晶閘管特性的晶閘管。如果在陽極加正向電壓時，門極加上正向觸發電流，GTO就導通。在導通的情況下，門極加上足夠大的反...
簡介 GTO的結構 GTO與普通晶閘管的不同 GTO的主要參數 門極輔助關斷晶閘管 -
電晶體[半導體器件]
電晶體（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。電晶體作為一種可變電流開關，能夠基於輸入電壓控...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑 -
全控型器件
全控型器件又稱為自關斷器件，是指通過控制信號既可以控制其導通，又可以控制其關斷的電力電子器件。這類器件很多，門極可關斷晶閘管，電力場效應電晶體，絕緣柵雙...
簡介 門極可關斷晶閘管（GTO) 場效應管 絕緣柵雙極電晶體（IGBT） 總結 -
功率半導體器件基礎
功率u-mosfet結構的電容 輸出電阻：對稱結構 輸出電阻：非對稱結構
基本信息 內容簡介 目錄 -
IGBT場效應半導體功率器件導論
《IGBT場效應半導體功率器件導論》是一本袁壽財編著的教材書籍，在2008年1月1日於科學出版社出版發行。本書著重闡述基礎理論，並適當吸收該領域近期的研...
編輯推薦 作者簡介 目錄 -
晶閘管
定義晶閘管導通條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速...器件，在電路中用文字元號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR...的，中間形成了三個PN結。分類晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通...
定義 結構 分類 工作原理 工作過程 -
紅外輻射紅外器件與典型套用
紅外輻射紅外器件與典型套用，作者為陳永甫，電子工業出版社出版。
簡介 目錄 -
IGBT
進行：器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為...， N+區稱為源區，附於其上的電極稱為源極（即發射極E）。P+區稱為漏區。器件...，進行導電調製，以降低器件的通態電壓。附於漏注入區上的電極稱為漏極（即...
結構 工作特性 原理 發展歷史 研發進展
