編輯推薦
本書系統地論述了場效應半導體功率器件的基礎理論和工藝製作方面的知識，內容包括器件的原理、模型、設計、製作工藝等，重點討論了IGBT，同時對其它器件如IGCT、IGCT等也作了簡單介紹。書中注意強調基礎理論的闡述，並適當吸收該領域近期的研究報導，各章後都附有相關參考文獻，書的最後還附有主要參考書目和貫穿全書統一使用的符號表。
作者簡介
袁壽財，生於1963年3月，陝西省商洛山陽縣人。1985年，獲西安交通大學半導體物理與器件專業工學學士；1988年，獲陝西微電子學研究所（陝西臨潼）碩士學位（VLSI研究方向）；2003年，獲西安交通大學電子科學與技術學科工學博士學位。現為贛南師範學院（江西省贛州市）物理與電子信息學院教師。從事半導體大功率器件、新材料新器件及微納電子器件與電路的研究和教學工作。先後參與機械工業部“八五”科技攻關項目、國家自然科學基金及國家863計畫等多項科研項目。2004年4月，“一種矽化物全自對準槽柵絕緣柵雙極電晶體的製備方法”取得了國家發明專利。發表的學術論文中，SCI收錄4篇，EI收錄5篇。
目錄
序
前言
第1章 緒論
1.1 半導體功率器件與電力電子技術
1.2 半導體功率器件及其主要套用領域
1.3 電力電子與民族工業的振興
1.4 本書的主要內容和章節安排
第2章 半導體功率器件技術回顧
2.1 引言
2.2雙極結型電晶體（BJT）技術
2.3 場效應電晶體（FFT）技術
2.4 MOSFET的發展歷程
2.5 絕緣柵雙極電晶體（IGBT）
2.6 其他半導體功率器件
2.7 半導體新材料和新器件
2.8 IGBT等半導體功率器件的套用
2.9 小結
參考文獻
第3章 IGBT的工作機理分析
3.1 引言
3.2 IGBT的基本結構及輸出，I-V特性
3.3 IGBT工作機理的數值分析
3.4IGBT重要電性能參數的分析和最佳化設計
3.5 小結
參考文獻
第4章 IGBT準數值分析模型
4.1 引言
4.2IGBTn-區壓降計算的準數值模型
4.3IGBTn-區壓降計算的PIN二極體模型
4.4IGBT樣品測量與模型計算的比較
4.5 小結
參考文獻
第5章 IGBT的等效電路模型
5.1 引言
5.2IGBT等效電路的建立
5.3IGBTn-區電阻的VCR模型
5.4IGBT等效電路模型參數的非破壞測試和提取
5.5 模擬與測量的比較與討論
5.6 小結
參考文獻
第6章 IGBT的開關特性和溫度效應
6.1 引言
6.2 IGBT關斷特性的分析
6.3 IGBT溫度效應的分析
6.4 小結
參考文獻
第7章 平面工藝IGBT設計與製作
7.1 引言
7.2 半導體功率器件的襯底材料
7.3 平面工藝IGBT設計與製作
7.4 全自對準淺結平面工藝IGBT設計
7.5 製作晶片的測試與結果分析
7.6 小結
參考文獻
第8章 TrenchGate（槽柵）IGBT結構和工藝
8.1Trench工藝的提出
8.2Trench工藝的發展
8.3Trench的幾種結構
8.4Trench結構的優勢與不足
8.5 難熔金屬矽化物工藝
8.6 全自對準TrenchGateIGBT結構與工藝設計
8.7 電力電子新器件與新工藝
8.8 小結
參考文獻
第9章pn結擊穿與終端保護技術
主要符號表
