配體的電子充填六個成鍵軌道，金屬的d電子進入非鍵軌道或反鍵軌道中，非鍵與反鍵之間的能級差稱為分裂能Δo（o代表八面體），受以下兩個因素影響：
* 配體與中心原子之間的σ配鍵強弱
若配體為強的σ電子給予體，則Δ值較大。
* 配體與中心原子之間的π相互作用
若配體為強的π電子接受體，可形成強的反饋π鍵，則Δ值增大。
電子組態為d4-d7的金屬配合物自旋態會受分裂能大小影響。電子填充到非鍵和反鍵軌道中時，若電子優先成對排到非鍵軌道中，則稱為低自旋態；若電子優先進入反鍵軌道，而後成對，則稱為高自旋態。較大的分裂能常導致低自旋態，而較小的分裂能則常導致高自旋態。具體請參見晶體場理論#自旋。
光譜化學序列由光譜數據衍生出，根據分裂能Δ的大小來衡量配體的“強度”。由配位場理論可知，弱場配體都是π電子給予體（如I-），強場配體都是π電子接受體（如CN-和CO），而配體如H2O或NH3則處於中間，π相互作用很弱。
I− < Br− < S2− < SCN− < Cl− < NO3− < N3− < F− < OH− < C2O42− < H2O < NCS− < CH3CN < py (吡啶) < NH3 < en (乙二胺) < bipy (2,2'-聯吡啶) < phen (1,10-鄰菲囉啉) < NO2− < PPh3 < CN− < CO
