簡介
翁紅明，男，1977年生於江蘇。
2000年南京大學物理學系本科畢業，獲學士學位；
2005年獲南京大學物理學系理論物理博士學位；
2005年10月至2006年12月在日本東北大學金屬材料研究所（IMR）做博士後；
2007年1月至3月在日本產業技術綜合研究所（AIST）任特聘研究員；
2007年4月至2010年6月在日本北陸先端大（JAIST）任助理教授；
2010.07至2016.08在中國科學院物理研究所任副研究員；
2016.09至今任中科院物理所研究員，博士生導師。
所獲獎勵
1.2015年獲“科技盛典——2015年度十大科技創新團隊獎”
2.2015年獲“物理所科技新人獎”
3.2014年獲“國家自然科學基金委優秀青年基金”
4.2008年獲“日本學術振興會（JSPS）獎學金”
5.2017年8月13日，日本仁科紀念財團在其網站公布第5屆“仁科芳雄亞洲獎”獲獎者為中科院物理所翁紅明研究員，旨在表彰他為發現外爾半金屬作出的理論貢獻。
研究方向
拓撲量子態及其材料計算研究，磁光效應，非線性光學效應等第一性原理計算
近期主要研究課題及展望
1.拓撲半金屬材料計算與預言；
2.二維拓撲絕緣體材料的預言；
3.量子反常霍爾效應材料的設計與預言。
主要研究成果以及代表論文
主要研究成果
1)發展並開發了新型計算方法和軟體包：
負責研發了基於Wannier函式的拓撲物性計算方法和Gutzwiller計算方法，大幅提高了計算效率，為後續的研究工作奠定了基礎。
2)拓撲半金屬研究：
與合作者一起，將能帶拓撲理論從絕緣體推廣到金屬，成功預言了多種拓撲半金屬材料，使得相關實驗研究成為可能。
a,狄拉克半金屬Na3Bi和Cd3As2的理論預言和實驗發現；
b,磁性外爾半金屬HgCr2Se4的理論預言和非磁性外爾半金屬TaAs家族的理論預言和實驗發現；
c,拓撲節點線半金屬的理論預言；
d,無質量三重簡併點半金屬的理論預言。
3)新型拓撲絕緣體研究：
利用第一性原理計算和電子結構計算資料庫，依據能帶拓撲理論，成功預言了多個新型拓撲絕緣體，為拓撲絕緣體的實驗研究和套用開發提供了關鍵的必不可少的材料基礎。
a,理論預言並跟實驗合作發現了大能隙二維拓撲絕緣體ZrTe5和HfTe5;
b,把拓撲絕緣體研究擴展到了強關聯電子系統領域，預言了首個強關聯“拓撲晶體絕緣體”YbB12;
c,理論預言反LiFeAs結構家族材料可能是二維拓撲絕緣體。
代表性論文及專利
I、狄拉克半金屬
［1］Z.J.Wangetal.,Phys.Rev.B85,195320(2012)
［2］Z.J.Wangetal.,Phys.Rev.B88,125427(2013)
［3］Z.K.Liuetal.,Science343,6173(2014)
［4］Z.K.Liuetal.,NatureMaterials13,677(2014)
II、外爾半金屬
［1］GangXuetal.,Phys.Rev.Lett.107,186806(2011)
［2］HongmingWengetal.,Phys.Rev.X5,011029(2015)（科研進展報導1）（科研進展報導2）（科研進展報導3）
［3］B.Q.Lvetal.,Phys.Rev.X5,031013(2015)（科研進展報導1）（科研進展報導2）
［4］B.Q.Lvetal.,NaturePhysics11,724(2015)（科研進展報導1）（科研進展報導2）
［5］X.C.Huangetal.,Phys.Rev.X5,031023(2015)（科研進展報導1）（科研進展報導2）
［6］B.Q.Lvetal.Phys.Rev.Lett.115,217601(2015)（科研進展報導）
［7］T.Guanetal.Phys.Rev.Lett.115,087002(2015)
［8］N.Xuetal.NatureCommunications7,11006(2016)
［9］翁紅明，戴希，方忠，物理44,253(2015)
［10］翁紅明，物理44,768(2015)
III、拓撲節點線半金屬
［1］HongmingWeng*etal.Phys.Rev.B92，045108（2015）（科研進展報導）
［2］R.Yuetal.,Phys.Rev.Lett.115，036807（2015）（科研進展報導）
［3］J.T.Wangetal.,Phys.Rev.Lett.116，195501（2016）(科研進展報導）
IV、新型拓撲絕緣體
［1］H.Weng*etal.,Phys.Rev.X4,011002(2014)（科研進展報導）
［2］RWuetal.,Phys.Rev.X6,021017(2016)(科研進展報導)
