利用矽結晶面造成的蝕刻速度差異，可製作出V字型溝槽及梯形凹陷等多種形狀。
矽的結晶呈金剛石狀結構，結晶內部的矽原子分別以4條化學鍵形成共價鍵合。然而表面的矽原子，其結合方式隨結晶面的不同而各異。例如在（100）面上，4條化學鍵中2條斷開，2條相連。面通過3條化學鍵連線，只有1條斷開。因此，（111）面比（100）面更難進行蝕刻（蝕刻速度較慢）。
矽結晶各向異性蝕刻正是利用了這一差異。圖1表示從（100）面對矽進行蝕刻時（圖1的（a）（b）（c））、以及從（110）面進行蝕刻時（圖1的（d）（e）（f））的形狀差異。隨著蝕刻的進行，難以被蝕刻的（111）面顯現出來，形成各種各樣的形狀。
結晶各向異性蝕刻圖2是利用結晶各向異性蝕刻製作的、名為個別細胞融合槽（Cell）的MEMS元器件。將V字型槽排列在一起，在這些槽中放入細胞，通入電流破壞細胞膜，使其融合。即使採用如右側照片所示的適當形狀的掩模，通過蝕刻也能呈現出（111）面，因此可自動形成美觀的圖案。
如果採用（110）面的晶圓，可製作出垂直較深的溝槽。這是因為面處於垂直方向（111）上。不過，由圖1（d）可以看出，垂直的面之間的角度為70度。另外，在該三角形底面上會出現傾斜的（111）面。如果想去除這樣的面，可從上方照射YAG雷射（圖1（f））。
結晶各向異性蝕刻矽結晶各向異性蝕刻通過鹼性液體進行蝕刻。代表性的鹼性液體包括：KOH（氫氧化鉀）、TMAH（四甲基氫氧化銨）、EDP（乙二胺-鄰苯二酚）、N2H4·H2O（水合肼）等。這些液體各有優缺點，可根據不同目的區別使用。
