相關詞條
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雜質能帶
雜質能帶是指摻雜濃度很高、以致相鄰雜質原子的基態電子軌道發生交疊時，雜質能級展寬後的能帶（禁帶里產生一些定域的分立的能級）。 雜質能帶的寬度正比於相鄰束...
簡介 雜質能帶的形成理論 -
雜質半導體
在本徵半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電性發生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素。摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。製備雜質半導...
基本原理 本徵半導體 分類 -
雜質電離能
雜質電離能（Ionization energy）是指半導體中雜質原子上的價電子從價鍵上被激發到導帶或者價帶中而成為載流子（分別產生電子或者空穴）所需要的...
（1）施主和受主雜質： （2）複合中心和陷阱中心雜質： -
雜質能級
雜質能級是指半導體材料中的雜質使嚴格的周期性勢場受到破壞，從而有可能產生能量在帶隙中的局域化電子態,稱為雜質能級。
釋義 套用 雜質與連續帶間的躍遷 -
施主雜質
為了控制半導體的性質可以人為地摻入某種化學元素的原子，摻入雜質元素與半導體材料價電子的不同而產生的多餘價電子會掙脫束縛，成為導電的自由電子，雜質電離後形...
摻雜方式 摻雜原理 摻雜結果 -
兩性雜質
兩性雜質，又稱為摻雜劑，在半導體中既起施主作用、又起受主作用的雜質。
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雜質補償
雜質補償在同一區域內同時含有施主和受主雜質的半導體稱為補償半導體。
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深能級雜質
此概念屬於半導體物理學範疇。 深能級雜質：雜質電離能大，施主能級遠離導帶底，受主能級遠離價帶頂。 深能級雜質有三個基本特點：一是不容易電離，對載流子濃度...
簡介 Ge和Si中的的深能級雜質 GaAs中的深能級雜質 GaP中的深能級雜質 -
淺能級雜質
淺能級雜質就是指在半導體中、其價電子受到束縛較弱的那些雜質原子，往往就是能夠提供載流子——電子或空穴的施主、受主雜質；它們在半導體中形成的施主能級接近導...
簡介 基本概念和能級計算 Ge和Si中的淺能級雜質 Ⅲ-Ⅴ族半導體中的淺能級雜質
