突觸後電位 postsynaptic potential 略稱PSP。也可稱突觸電位（synaptic poten- tial）。這是突觸傳遞在突觸後神經元中所產生的電位變化。有興奮性突觸後電位和抑制性突觸後電位，另外還區別為以化學傳遞物質為媒介的化學傳遞所產生的突觸後電位與以突觸前神經元的動作電流進行電傳遞而產生的突觸後電位。興奮性突觸後電位是去極化性質，抑制性突觸後電位多數場合是超極化性質，並通過膜電導增加的短路效應使其它的電位變化減少。當這些突觸後電位總和超過去極化側的閾值時，便產生動作電位。突觸前膜將遞質釋入突觸間隙後，經擴散到達突觸後膜，作用於後膜上的特異性受體或化學門控通道，引起後膜對某些離子通透性的改變，使某些帶電離子進出後膜，突觸後膜即發生一定程度的去極化或超極化，從而形成突觸後電位。
