禁止周期

在特定的積體電路製作工藝中，隨著線條周期的增大，成像的對比度並不是單調增大，而是出現一個低谷，如圖1。如果這個低谷區域對應掩膜上線條的周期在晶圓表面成像的質量就很差時，就成此周期為禁止周期。

禁止周期

圖1 空間像的歸一化對數斜率隨掩模上線條周期的變化曲線

對於給定的照明，禁止周期出現在由相鄰特徵產生的場對主要特徵的場產生不利的干涉的地方。 這裡給出的理論分析提供了一個工具來繪製關於任何特徵尺寸和照明條件的禁止周期的範圍。 更重要的是，它為照明設計和散射條的放置提供了理論基礎，以便抑制禁止周期現象，以達到最佳性能。