概念
目前的MR技術已有幾代產品。MAXTOR的鑽石三代/四代等均採用了最新的MR技術。磁阻磁頭的工作原理是基於磁阻效應來工作的，其核心是一小片金屬材料,其電阻隨磁場變化而變化,雖然其變化率不足2%,但因為磁阻元件連著一個非常靈敏的放大器,所以可測出該微小的電阻變化。MR技術可使硬碟容量提高40%以上。GMR（GiantMagnetoresistive）巨磁阻磁頭GMR磁頭與MR磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取碟片上的數據，但是GMR磁頭使用了磁阻效應更好的材料和多層薄膜結構，比MR磁頭更為敏感，相同的磁場變化能引起更大的電阻值變化，從而可以實現更高的存儲密度，現有的MR磁頭能夠達到的碟片密度為3Gbit－5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而GMR磁頭可以達到10Gbit－40Gbit/in2以上。目前GMR磁頭已經處於成熟推廣期，在今後的數年中，它將會逐步取代MR磁頭，成為最流行的磁頭技術。
磁阻效應
科學界常會發生這樣一種情形，就是當我們專心研究一種現象時，結果卻意外發現了更棒更重要的新現象。
1857 年秋，格拉斯哥大學一間略顯混亂的實驗室里，英國物理學家威廉·湯姆遜正為他的一個實驗結果犯嘀咕呢，當他把一根帶電的導線在磁場中擺動時，導線中的電流居然發生了變化。
後來，湯姆遜試圖對此進行深入研究，但卻遇到了麻煩：不管使用何種材料，或者磁場有多強，電阻值的變化也沒有超過 5 ％。這樣的結果讓他略感失望，於是就放棄了。
［原理］
我們知道，每個電子都帶著一個微小而有南北極的條狀磁鐵，這是電子原有的磁性。通常這些磁鐵的指向不規則，因此對電流沒有影響。但是，當一個帶電的粒子（例如電子）通過磁場時，磁場會對粒子橫向施力，使其軌跡彎曲，磁場夠強的話，甚至能將電子軌跡變為螺旋線。由於電子走的路徑變得長而彎曲，它從材料一端到另一端的運動會變慢，使電流減小、電阻變大。
磁場會彎曲電子的軌跡，巨觀上造成材料的電阻值增加，這就是磁阻效應（ Magnetoresistance effect ） 。可見，磁阻（ MR ）是指在一定磁場下某些材料（不一定是磁性材料）的電阻率會發生變化的一種物理特性。
磁阻是一個相對數值，用電阻變化的百分比來表示：
［套用］
儘管 100 多年前就發現了磁阻效應，但由於材料的磁阻變化率太小，並未獲得實際套用。直到 1960 年代，真空技術改進了材料磁阻材料純度，獲得了更高的磁阻變化率，磁阻效應才被用於磁芯存儲器中。 1991 年， IBM 公司首次利用磁阻材料製成了 MR 硬碟磁頭。 1998 年， IBM 又推出磁阻變化率更大的 GMR （ Giant MegnetoResistance ，巨磁阻）磁頭，超強的靈敏度，為硬碟存儲密度的提高排除了讀取障礙。
磁阻磁頭讀取磁碟信息的原理是：磁頭掠過碟片時，碟片上小磁極產生的磁場引起磁阻變化，然後通過檢測電路檢測出磁碟數據。圖中 UO 為一恆壓源， MR 變化引起電流 i 變化，取樣電阻 R 兩端的電壓 u 反應了電流 i 的變化，作為檢出信號輸出。由於 MR 磁頭在讀數據時檢測的是磁通量大小而不是其變化率，所以其工作的穩定性與碟片的轉速無關，這對提高硬碟轉速十分有利。
頭不僅要檢測磁場的存在，還要測量出它的方向，以區別信息是 “0” 還是 “1” ，僅靠 MR 電阻變化無法檢測出磁場方向，所以使用一個獨立的 MR 磁頭是無法測出磁場的極性的。
實用的 MR 讀出磁頭採用三層結構，一層是讀取磁碟信息的 MR 層，一層是為 MR 層產生偏置場的 SAL （軟相鄰）層，中間一層為間隔層。軟相鄰層負責極化電流，借著改變該層磁場相對於 MR 層磁場的方向，可以調整 MR 層電流流動的難易，提高 MR 磁頭的靈敏度。
當 MR 磁頭掠過不同極性的小磁極時，磁阻的變化能呈現 “ 增 ” 和 “ 減 ” 兩種不同狀態，利用檢測電路便可獲得方向相反的電信號。
PS ：硬碟磁頭先後經歷了亞鐵鹽類磁頭、 MIG 磁頭、薄膜磁頭和 MR 磁頭 4 個階段。前三種磁頭都是讀寫合一的電磁感應式磁頭， MR 磁頭採用分離式結構，寫入磁頭仍沿用傳統的磁感應磁頭，而讀取磁頭則套用了新型的 MR 磁頭，即所謂的感應寫、磁阻讀的讀寫方式。
