硒化鍺晶體germanium ;elenide crystal GeSe周期表第IVA, VIA族化合物半導體。正交晶系離子性晶休，晶格常數U.43$rrm。為直接帶隙半導體、』密度5.55gIcm3o熔點},}oc .. }溫禁頻寬度1. 53cv。電子和空穴遷移率分別為(1.1m}1( V " s)和3 X lp-'nr'`I( V " s )。採用熔化再結晶法製備:
硒化鍺晶體germanium ;elenide crystal GeSe周期表第IVA, VIA族化合物半導體。正交晶系離子性晶休，晶格常數U.43$rrm。為直接帶隙半導體、』密度5.55gIcm3o熔點},}oc .. }溫禁頻寬度1. 53cv。電子和空穴遷移率分別為(1.1m}1( V " s)和3 X lp-'nr'`I( V " s )。採用熔化再結晶法製備: