人物名片
畢業院校：吉林大學半導體系、半導體專業系
學位：吉林大學學士學位、清華大學碩士學位
職稱: 教授、碩士生導師
職務：生物醫學工程系系主任
個人成就和榮譽
在國核心心期刊或國際學術刊物上發表論文共19篇。目前承擔項目共4項；其中：國家級1項，部（省）級2項，橫向項目1項。獲得國家專利6項。
在光器件與套用方向承擔的主要工作和參與的科研項目有：
（1）“垂直腔面發射雷射器及其收發模組” （教育部重大項目，2003）
（2）“超高速主動鎖模光纖雷射器真自啟動及穩定性研究”（國家自然科學基金項目）。
在非電信號與檢測方向承擔的主要工作和參與的科研項目有：
（1）“矽基微結構濕度感測器的研究” ；
（2）“電磁波禁止與吸收結構型複合材料” ；
（3）“前置無源無線偵聽系統” 。
代表性工作
製造工藝方面
本項目採用離子注入結構製造工藝的VCSEL作為光源。其主要特點是通過選擇注入法將離子注入半導體材料中某一深度，控制注入的能量和離子質量，可以製作出確定的絕緣區域，形成高阻區，實現對注入電流的控制，進而實現橫向電流控制，另外還具有較好的熱耗散，器件製作和封裝非常簡單等優點。電漿輔助MOCVD生長的ZnO薄膜退火改性研究 研究電漿輔助MOCVD法在藍寶石上生長的ZnO薄膜退火後的特性變化，通過電參數測量和利用X光衍射、光致發光光譜方法對ZnO薄膜進行了表征。測試了其退火和未退火薄膜的電阻率、電子濃度、遷移率、雷射閾值，並通過X光衍射、光致發光方法表征了ZnO薄膜的質量，其結果是：退火薄膜的電子濃度低達1015/cm3量級、雷射閾值降低近30倍、X光衍射峰半高寬是0.29°、在388nm附近的光致發光譜峰半高寬為0.32nm。這表明退火使ZnO薄膜的質量得到大幅度提高。
研究材料
根據軍用指揮計算機機殼的多樣性，小批量要求，在“八五”研製的基礎上，採用一種全新的工藝路線，以達到低成本、高成品率的要求。
技術關鍵：
(1)以直流間歇式磁控濺射儀濺射出銅-鎳，不鏽鋼-銅-不鏽鋼、鋁等膜層，在14KHz-1GHz範圍內實現禁止60db以上的禁止要求；在1GHz-1.5GHz範圍內實現50db以上的禁止要求。
(2)金屬膜層與基體塑膠以及金屬膜層間的結合牢固。
主要內容：
(1)建立一套濺射金屬膜層的濺射設備
(2)研究膜層均勻性、厚度、粒度及反射性能等對電磁禁止性能的影響。
(3)研究掩蔽方法，預處理工藝及磁控濺射參數等對電磁禁止性能的影響。
(4)研究膜層的環境適應性及導電性能等。
