1961年畢業於武漢大學半導體物理專業。從事半導體材料物理性能檢測和測試儀器研製工作,歷任研究室主任、副所長等職。完成主要研製項目:雙光源單晶壽命測試儀;三探針外延片電阻率測試儀;精密四探針頭;T2T-9探頭;PTC-l型半導體陶瓷數字電阻儀。獲國家專利1項,部、省級科技成果獎3項。發表《多晶矽的檢測與晶界效應》等論文多篇。研究方向:半導體材料檢測及設備。
王世進 高級工程;師。男,1943年12月生,江蘇鎮江人。大學。廣州半導體材料研究所計量站總工程師。中國有色金屬學會半導體材料學術委員會委員。全國冶金系統先進工作者。
1961年畢業於武漢大學半導體物理專業。從事半導體材料物理性能檢測和測試儀器研製工作,歷任研究室主任、副所長等職。完成主要研製項目:雙光源單晶壽命測試儀;三探針外延片電阻率測試儀;精密四探針頭;T2T-9探頭;PTC-l型半導體陶瓷數字電阻儀。獲國家專利1項,部、省級科技成果獎3項。發表《多晶矽的檢測與晶界效應》等論文多篇。研究方向:半導體材料檢測及設備。