焦易斯-帝克聳近似（Joyce-Dixon approximation）：這是半導體中載流子濃度與Fermi能級之間的一種近似關係。
對於摻雜濃度很低的非簡併半導體，可採用Boltzmann分布函式，求得載流子濃度n和p與Fermi能級Ef之間有簡單的指數函式關係：
n = Nc exp[－(Ec－Ef)/kT， p = Nv exp[－(Ef－Ev)/kT。
但是，對於摻雜濃度並非很低、但又不是簡併的半導體，則Boltzmann近似並非很好，這時載流子濃度與Fermi能級之間的一個有用的關係就是所謂焦易斯-帝克聳近似的關係式：Ef = Ec + kT[ln(n/Nc)+n/(81/2 Nc)] = Ev + kT[ln(p/Nv)+p/(81/2 Nv)]。
