簡介
無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝 。
原理
在單晶的生長過程中，位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸，另一方面來自晶體內的熱應力。
採用方法
在引晶過程中，由於熱衝擊較大，不可避免地在籽晶上產生大量的位錯。為此，採取縮頸的辦法。即採取高拉速將晶體直徑縮小到3mm左右，當其長度大於直徑的7-10倍時，位錯可滑移至表面而消失。同時因拉速較快，產生大量的空位，有利於位錯的攀移，從而將位錯排至晶體表面。在消失位錯後，再進行放肩，就相當於在無位錯晶體上生長 。
套用
矽就是利用這個原理而獲得直徑250rnm的無位錯單晶的。其它材料則因其熱學性能及機械性能的不同，有的可獲得小直徑的無位錯單晶，有的則無法獲得無位錯單晶 。
