法蘭茲-卡爾迪西效應

法蘭茲-卡爾迪西效應（英語：Franz-Keldysheffect）是指在強電場（一般在百伏電壓）作用下，導致半導體吸收邊形狀的改變，及引起其折射率相應變化的現象。它是德國物理學家沃爾特·法蘭茲[1]和俄國物理學家萊奧尼德·卡爾迪西[2]於1957-1958年間先後獨立發現的。而以他們二人的名字命名。
卡爾·波爾最先觀察到光的吸收邊隨電場大小而改變。但自法蘭茲和卡爾迪西二人發現高場下光吸收邊改變的現象後，則把半導體吸收邊隨電場變化的現象稱為法蘭茲-卡爾迪西效應。
法蘭茲-卡爾迪西效應和量子阱的斯托卡效應二者都可用作電-吸收調製器。但用法蘭茲-卡爾迪西效應製造調製器要求外加的電壓高達百伏量級，不適用於商業。