簡介
沃爾德曼，男，1979年在布法羅大學獲得了工程學學士學位；並於1981年在麻省理工學院(MIT)獲得了電子工程方向的碩士學位；以後又在MIT獲得第二個電子工程學位(工程碩士學位)；1986年他在IBM的駐地研究員計畫下從佛蒙特大學獲得了工程物理學碩士學位，並於1991年從該校獲得了電子工程的博士學位。他作為IBM開發團隊的一員已有25年的歷史，主要致力於半導體器件物理、器件設計和可靠性[如軟失效率(SER)、熱電子、漏電機制、閂鎖和ESD]的研究工作。Voldman博士參與到閂鎖技術的研發已有27年之久。他的工作主要針對用於雙極型SRAM、CMOSDRAM、CMOS邏輯、SOI、BiCMOS、SiGe、RFCMOS、RFSOI、智慧型電源和圖像處理技術中的工藝和電路設計的研究。在2008年，他成為了奇夢達DRAM開發團隊的一員，從事70nm、58nm和48nmCMOS工藝的研究。同年，他成立了一個有限責任公司。
