這是著眼於減短溝道長度的一種橫嚮導電MOSFET，通過兩次擴散而製作的器件稱為LDMOS；也可以通過兩次離子注入來製作——得到所謂雙注入MOSFET(簡稱為DIMOS)。這是功率（電力）MOSFET和功率IC的基本結構。
這種橫嚮導電MOSFET的優點就在於：溝長L與光刻精度無關 (主要決定於雜質擴散精度或多晶矽柵掩蔽注入的精度), 則可控制L到1μm以下；較高摻雜的p區把源區和漏區隔開來了, 使得S-D之間不容易穿通, 則耐壓提高；輕摻雜n區的表面導電很好, 電子容易達到飽和速度；n區可承受較高的電壓, 則提高了擊穿電壓；在漏結附近, 擊穿電壓提高，而電離倍增和熱電子注入效應降低；電極均在同一表面上, 容易集成。
缺點是：閾值電壓的控制比較困難 (閾值電壓主要決定於p區表面的摻雜濃度)；溝道區是高摻雜區，表面電容較大, 則器件的亞閾特性較差；管芯占用面積較大, 頻率特性也受到一定的影響。
