介紹柵控二極體
包括第一種導電類型的半導體層、在鄰近半導體層上表面的半導體層中形成的第二種導電類型的有源區、以及至少一個基本上垂直穿過有源區延伸並且至少部分進入半導體層的溝槽電極。柵控二極體的第一端與溝槽電極電連線,並且至少第二端與有源區電連線。作為在所述第一和第二端之間施加的電壓電勢的函式,柵控二極體在至少第一種模式和第二種模式之一下操作。第一種模式的特徵在於在基本上圍繞著溝槽電極的半導體層中產生反轉層。柵控二極體在第一種模式中具有第一電容並且在第二種模式中具有第二電容,所述第一電容基本上大於第二電容。