![李傳波[中央民族大學教授、博士生導師]](/img/b/57f/nBnauM3XzUDO4YDNwQzNygzM1UTM1QDN5MjM5ADMwAjMwUzL0czLwIzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLxE2LvoDc0RHa.jpg "李傳波[中央民族大學教授、博士生導師]")
人物經歷
求學經歷
高中畢業於泰安英雄山中學。
1995年9月——2009年6月，在山東師範大學化學系獲得學士學位。
2009年6月——2002年2月，研究生保送至在山東師範大學半導體研究所，獲碩士學位。
2002年3月——2005年3月， 在中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室獲得理學博士學位，師從王啟明院士。
工作經歷
李傳波2005年4月——2006年8月，在愛爾蘭國立科克大學電子工程系任職博士後。
2006年8月——2008年9月，在東京工業大學量子納米電子研究中心擔任JSPS特別研究員。
2008年10月——2009年6月，在日本國家物質材料研究所，材料納米構建國際研究中心（MANA）任職博士後。
2009年7月——-2012年5月，在倫敦帝國理工學院電子工程系擔任助理研究員。
2012年5月——2017年10月，在中國科學院半導體研究所擔任研究員，博士生導師，併入選中共中央組織部第三批“千人計畫（青年）”。
2015年9月——2017年10月，在中國科學院大學擔任教授、博士生導師。
2017年11月，在中央民族大學理學院光電信息科學與工程系擔任教授、博士生導師。
研究領域
矽基異質材料與器件；半導體紅外探測器件晶片；紅外成像；全固態雷射雷達；鋰電池、微型超級電容器等。
在研項目
1.矽基紅外探測材料及其光子能源器件研究，國家千人計畫（青年）課題，200萬，主持，2012-2017；
2.中國科學院百人計畫課題，80萬，主持，2012-2017；
3.國家自然科學基金委面上項目（61675195），67萬，主持，2016-2020；
4.北京市科委重點項目（Z141100003814002），800萬，項目負責人&課題1負責人，2013-2016；
5.北京市自然科學基金面上項目（2142031），18萬，主持，2013-2016；
6.中科院-日本學術振興會國際合作項目（GJHZ1316），45萬，主持，2012-2015；
7.教育部回國留學基金，主持，2014-2016；
8. xx科技公司（上市公司）橫向項目，480萬，課題二負責人，2017-2019。
獲獎記錄
1.2004年獲中國科學院院長獎學金優秀獎；
2.2015年獲中國科學院半導體所優秀黨員。
主要成就
李傳波在矽基納米材料可控生長及其在納米光電子、熱電器件等領域取得一系列創新研究成果。已發表論文110篇，出版專著章節4部；發明專利3項。主要學術貢獻包括：
矽基光電子器件的系列突破
儘管矽材料在微電子學領域取得令人注目的進展，但受其材料本身特性所限，光電性能不佳，成為限制下一代低成本、高性能片內光互聯、光信息處理等器件的發展的短板。李傳波經過大量研究，突破一些列技術難關，成功外延高密度鍺量子點材料並將其光回響延伸到1.61微米，並採用創新方法，製備了當時國際上最窄線寬的1.55 微米鍺量子點RCE探測器，這一技術為未來Si基垂直腔面發射雷射器及其它Si基微腔器件走向實用化奠定了基礎。其提出的具有自主智慧財產權、簡單可靠的製備Si基共振腔結構器件的新工藝，解決了Si基共振腔器件高質量背反射鏡製備的難題。麻省理工著名光電子材料與器件專家L.C. Kimerling教授對之給予很高的評價:“一個可行的解決方案是利用最近提出的背孔內沉積高質量反射鏡的方法…該法不會破壞頂層SOI的晶體質量，而且還可實現超過99%的反射率”。
矽基納米線線的可控制備
納米線的可控生長是未來實現納電子器件原位加工與產業化套用的關鍵。李傳波系統研究了材料界面性質對納米線生長的影響，通過調控催化劑與襯底界面特性，實現了有序矽基納米線陣列的可控制備；創新性提出了Au催化“氣-固-固”納米線橫向生長機制；結合分子尺技術及電子束光刻方法，攻克一項製備精度為2納米、具有複雜結構納米器件的關鍵技術，這為研製高性能原子開關器件提供了有力保障。
社會任職
1.《Journal of Semiconductors》副主編、編委；
2.《中國光學》青年編委；
3.千人計畫聯誼會青千分會委員；
4.中國科學院青聯委員；
5.中國電子學會青年科學家俱樂部半導體技術專委會常務委員。
代表論文
1. Chunqian Zhang, Chuanbo Li*, Zhi Liu, Jun Zheng, Chunlai Xue, Yuhua Zuo, Buwen Cheng, Qiming Wang，Enhanced photoluminescence from porous silicon nanowire arrays，Nanoscale Research Letters, 8:277,2013
2. K. Fobelets, C.B.Li, D. Coquillat, P. Arcade and F. Teppe, Far infrared response of silicon nanowire arrays,RSC Adv., 3, 4434–4439,2013
3. Bin Xu, ChuanboLi*, MaksymMyronovb, and Kristel Fobelets*, n-Si – p-Si1-xGex nanowire arrays for thermoelectric power generation, Solid State Electronics, 83,107–112, 2013.
4. C. B. Li*, E. Krali, K. Fobelets, B.W Cheng, Q.M Wang, Conductance Modulation of Si Nanowire Arrays，Appl. Phys. Lett，101, 222101, 2012.
5. Xu B, Li C*, Thielemans K, Myronov K., Fobelets K*., Thermoelectric performance of Si0.8Ge0.2 nanowire arrays, IEEE Transactions on Electron Devices, 59, 3193, 2012.
6. K. Rasool, M. A. Rafiq,C. B. Li, E. Krali, Z. A. K. Durrani, and M. M. Hasan,Enhanced electrical and dielectric properties of polymer covered silicon nanowire arrays,Appl. Phys. Lett. 101, 023114 (2012)
7. Chuanbo Li*, Kouichi Usami, Hiroshi Mizuta, Shunri Oda,Growth of Ge-Si nanowires heterostructure via chemical vapour deposition, Thin solid films, 519,4174–4176, 2011,
8. C B Li*,T Hasegawa, H Tanaka, H Miyazaki, S Odaka, K Tsukagoshi and M Aono, Toward Sub-20-nm Hybrid Nanofabrication by Combining Molecular Ruler Method and Electron Beam Lithography,Nanotechnology, 21, 495304, 2010
9. C. B. Li*, G. Yamahata, J.S. Xia, H. Mizuta, S. Oda and Y. Shiraki，Vertical coupled SiGe double quantum dot, Electronics Lett.,46(13), 940, 2010
10. M. Z. Tymieniecki, C. Li, K. Fobelets, Z.A.K. Durrani, Field-effect transistors using silicon nanowires prepared by electroless chemical etching, IEEE Electron Device Letters, 31(8), 860, 2010
11. C. B. Li*, K. Usami, H. Mizuta, S. Oda, Vapor-solid-solid radial growth of Ge nanowires, J. Appl. Phys.106,046102, 2009
12. Chuanbo Li*, Kouichi Usami, Gento Yamahata,Yoshishige Tsuchiya, Hiroshi Mizuta, Shunri Oda, Position-controllable Ge Nanowires growth on Patterned Au Catalyst Substrate,Applied Physics Express, 2, 015004, 2009
