相關詞條
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半導體
特性∶摻雜性,熱敏性,光敏性,負電阻率溫度特性,整流特性。1.在形成...
定義 分類 相關短語 發展歷史 特點 -
輻射冷卻
不結冰;(2)生長季隨高度遞減 :因西北歐洲夏季氣溫不高,氣溫很容易下...工作 而配備的 。電影院、商店、體育館和旅館等休閒娛樂 場所人員高度密集...、複雜性的特點, 居住 建築空調的控制和調節必須高度自由和靈活。(2) 住宅...
輻射冷卻技術與住宅空調 一種用於自然輻射冷卻的光譜選擇性透過薄膜 -
富勒烯
也被稱為足球烯。C是高度的I對稱,高度的離域大π共軛,但不是超芳香體系,他...
基本簡介 命名信息 製備與提純 結構 種類 -
氮化鎵
特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,最好.../cm3、 1017/cm3。未摻雜載流子濃度可控制在1014~1020/cm3範圍。另外,通過P型摻雜工藝和Mg的低能電子束輻照或熱退火處理...
基本信息 計算化學數據 性質與穩定性 合成方法 材料簡介 -
C60
名稱由來 C60 C60 C結構,又稱為巴基球又被稱為足球烯,原因是其外形與英國式足球相似。它是一個由60個碳原子結合形成的穩定...
名稱由來 歷史沿革 結構組成 發現研究 物理性質 -
晶體矽太陽能電池
都採用表面織構化、發射區鈍化、分區摻雜等技術,開發的電池主要有平面單晶矽...分區摻雜工藝。在此方面,德國夫朗霍費費萊堡太陽能系統研究所保持著世界...過程增加柵極的寬度和高度的比率:通過以上製得的電池轉化效率超過23...
基本介紹 分類 電池材料 電池種類 產業發展 -
MOSFET
標示的“N+”代表著兩個意義:⑴N代表摻雜(doped)在源極與漏極區域的雜質極性為N;⑵“+”代表這個區域為高摻雜濃度區域(heavily...NMOS,那么其基體區的摻雜就是P型。反之對PMOS而言,基體應該是N型...
結構 工作原理 詳細信息 主要參數 型號命名 -
生產、銷售偽劣產品罪
:(1)摻雜、摻假。這是指行為人在產品的生產、銷售過程中摻入雜物或假的物品...製造偽劣產品。在銷售領域內分兩種情況:一是在銷售產品中故意摻雜、摻假;二是明知是偽劣產品而售賣。刑法條文第一百四十條生產者、銷售者在產品中摻雜...
構成要件 刑法條文 認定 司法解釋 處罰 -
銅酸鹽
電荷源層所隔離,通過化學摻雜該隔離層能控制超導面的荷電量。③在費米能級E附近的電子能帶是Cud和Op態共同作用的結果;④在摻雜過程中原來所處的反鐵...大約1.9Å,顯示出高度共價性。Anderson認為由於εd εp...
銅酸鹽超導體 銅酸鹽超導體的電子結構和晶體結構 銅酸鹽超導體中的缺陷 總結 -
勢壘
仍然是連續的。勢壘的分類肖特基勢壘P型半導體和N型半導體通過摻雜方式結合...整流作用)。當半導體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結...一定的高度和一定的厚度,這完全由其中的空間電荷密度及其分布來決定。一般...
基本概念 勢壘的分類 勢壘貫穿