抑制性突觸後電位

抑制性突觸後電位

抑制性突觸後電位(Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)是突觸前膜釋放抑制性遞質(抑制性中間神經元釋放的遞質),導致突觸後膜主要對Cl通透性增加,Cl內流產生局部超極化電位。突觸後膜在遞質作用下發生超極化,使該突觸後神經元的興奮下降,這種電位變化稱為抑制性突觸後電位(IPSP)。其產生機制為抑制性遞質作用於突觸後膜,使盾膜上的配體門控CI 通道開放,引起CI 內流,突觸後膜發生超極化。

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