抑制性突觸後電位

抑制性突觸後電位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突觸前膜釋放抑制性遞質（抑制性中間神經元釋放的遞質），導致突觸後膜主要對Cl通透性增加，Cl內流產生局部超極化電位。突觸後膜在遞質作用下發生超極化，使該突觸後神經元的興奮下降，這種電位變化稱為抑制性突觸後電位（IPSP）。其產生機制為抑制性遞質作用於突觸後膜，使盾膜上的配體門控CI 通道開放，引起CI 內流，突觸後膜發生超極化。

機制

突觸後膜在遞質作用下發生超極化，使該突觸後神經元的興奮下降，這種電位變化稱為抑制性突觸後電位（IPSP）。其產生機制為抑制性遞質作用於突觸後膜，使盾膜上的配體門控CI 通道開放，引起CI 內流，突觸後膜發生超極化。此外，IPSP的形成還可能與突觸後膜K 通道的開放或Na 、Ca 通道的關閉有關。