張興旺[中科院半導體研究所研究員、博士生導師]

張興旺[中科院半導體研究所研究員、博士生導師]

張興旺,男,博士,研究員,博士生導師。1972年出生於安徽懷寧,分別於1994和1999年從蘭州大學物理系獲學士和博士學位。現任國際空間研究委員會中國委員會(CNCOSPAR)委員、中國真空學會薄膜專業委員會委員、中國空間科學學會微重力科學與套用研究專業委員會委員、中科院材料領域專家組專家 。

人物履歷

1994和1999年從蘭州大學物理系獲學士和博士學位。

1999至2001年在香港中文大學電子工程系進行博士後研究,

2001至2004年任德國烏爾姆大學固體物理系博士後及洪堡學者,

於2004年7月入選中科院“百人計畫”,加入中科院半導體材料重點實驗室。

現任國際空間研究委員會中國委員會(CNCOSPAR)委員、中國真空學會薄膜專業委員會委員、中國空間科學學會微重力科學與套用研究專業委員會委員、中科院材料領域專家組專家 。

研究領域

二維原子晶體材料與器件,光伏材料與器件,寬頻隙半導體材料與器件 。

科研成果

發展了一種製備大面積、高質量六方氮化硼(h-BN)二維原子晶體的新方法,製備出毫米尺寸h-BN單晶疇。製備出光電轉換效率超過21%的平面異質結鈣鈦礦電池,被中國太陽能電池的最高紀錄表格收錄,也是世界上同類電池結構中的最高效率。首次成功製備出異質外延生長的立方氮化硼(c-BN)薄膜,相關結果在Nat.Mater.上發表後得到國際同行科學家的廣泛關注和高度評價,為實現c-BN薄膜作為高溫電子材料奠定了基礎 。

主要貢獻

已主持或承擔科技部863、973計畫、國家重點研發計畫、國家自然科學基金等科研課題20餘項,在Nat.Mater.,Nat.Energy,Nat.Commun.Adv.Mater.,等國內外雜誌發表SCI論文140餘篇,論文被他引2300餘次,獲授權發明專利20項;曾獲北京市科學技術進步二等獎及中科院優秀研究生指導教師獎,指導的研究生4人獲中科院院長獎,5人獲中科院優秀畢業生,多人次獲國家獎學金 。

相關詞條

熱門詞條

聯絡我們