位錯的增殖機制主要也有三種機制：弗蘭克-里德位錯源（Frank-Readsource）機制、雙交滑移增殖機制，和攀移增殖機制。
位錯位錯又可稱為差排（英語：dislocation），在材料科學中，指晶體材料的一種內部微觀缺陷，即原子的局部不規則排列（晶體學缺陷）。從幾何角度看，位錯屬於一種線缺陷，可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線，其存在對材料的物理性能，尤其是力學性能，具有極大的影響。“位錯”這一概念最早由義大利數學家和物理學家維托·伏爾特拉（Vito Volterra）於1905年提出。
