平面電晶體

凡採用所謂平面工藝來製作的電晶體，都稱為平面電晶體。現在所使用的Si-BJT幾乎都是平面電晶體。相對於台面電晶體而言，這種電晶體的晶片表面基本上是平坦的（實際上存在不少台階），故有“平面”之稱。
平面電晶體的基區一般都是採用雜質擴散技術來製作的，故其中雜質濃度的分布不均勻（表面高，內部低），將產生漂移電場，對注入到基區的少數載流子有加速運動的良好作用。所以平面電晶體通常也是所謂漂移電晶體。這種電晶體的性能大大優於均勻基區電晶體。
Si平面電晶體的一個重要優點就是其表面都容易通過熱氧化而覆蓋一層氧化層來保護著，使得器件的穩定性、可靠性極其優越。現在的積體電路幾乎都是採用Si平面電晶體來構成的。