基本信息
工學博士，教授，博士生導師，現任山東大學高分辯分析中心主任。
2001年6月獲得山東大學博士學位。
2003年以來在日本國家材料研究所先進材料研究室任特別研究員。
“新世紀百千萬人才工程”國家級人選、山東省“泰山學者”特聘教授，山東省自然科學傑出青年基金、國家自然科學基金傑出青年基金獲得者。
研究領域
主要從事層狀與有序介孔輕元素化合物、III-V與II-VI族化合物等材料的合成、微觀結構、相關物理與化學性能等的系統研究與探索，超硬材料和低維功能半導體材料的合成、結構表征與相關性能，展開材料在儲能與環保領域的套用研究,取得了一系列具有創新性的研究成果，相關研究結果發表在Nature Materials，J. Am. Chem. Soc.，Adv. Mater.，Nano Lett.，Adv. Funct. Mater.，Small，Angew. Chem. Int. Ed.，Appl. Phys. Lett.等有影響的材料與化學學科學術期刊上，被SCI引用超過800次。
學術成果
獲得2002年度山東省自然科學二等獎、2001年度山東省高等學校自然科學理論成果一等獎，博士學位論文“高溫高壓下 Fe-Ni-C系中金剛石的形核長大機制及晶體缺陷分析 ”被評為2001年山東大學優秀博士學位論文。
近年在Nature Materials，J. Am. Chem. Soc.，Adv. Mater.，Nano Lett.，Adv. Funct. Mater.，Small，Angew. Chem. Int. Ed.，Appl. Phys. Lett.等有影響的材料與化學學科學術期刊上發表相關學術論文70餘篇，其中有60餘篇論文被SCI、EI收錄，被SCI引用超過800次，授權和申請發明專利13項。
2003年2月起在日本國家材料研究所任客座研究員，主要從事一維納米半導體和超硬材料的研究，取得了重要的研究成果.
2005年12月1日應邀在國際著名學術刊物《Nature Materials》發表論文《Optimizing properties by tuning morphology》，影響因子：13.531。
此文主要研究ZnS納米半導體材料。ZnS作為首先發現的最重要的一類半導體材料，具有六方和立方兩種典型晶體結構。一般認為，在1200度以下，立方(zinc-blende)ZnS比六方（wurtzite）ZnS相更穩定。而最近研究表明ZnS納米帶即使在6.8 GPa高壓狀態下，也保持六方晶體結構。而揭示這種亞穩ZnS六方相在室溫下的超常穩定機制無論從基礎科學和實際套用都是至關重要的。該評述文章提出通過控制ZnS的表面能即形狀、尺寸、晶格缺陷等來控制材料的晶體結構，進而得到最佳的材料性能這一新的概念。由於III-V、II-VI等半導體大多具有與ZnS相似的晶體結構，此理論的提出對控制半導體的形態及結構，進而最佳化半導體的性能、開發低維光電子器件、制定合理的製備工藝具有理論指導作用。
