當光照射到pn結上時,產生電子--空穴對,在半導體內部P-N結附近生成的載流子沒有被複合而到達空間電荷區,受內部電場的吸引,電子流入n區,空穴流入p區,結果使n區儲存了過剩的電子,p區有過剩的空穴。它們在p-n結附近形成與勢壘方向相反的光生電場。光生電場除了部分抵消勢壘電場的作用外,還使p區帶正電,N區帶負電,在N區和P區之間的薄層就產生電動勢,這就是光生伏特效應。
當把能量加到純矽中時(比如以熱的形式),它會導致幾個電子脫離其共價鍵並離開原子。每有一個電子離開,就會留下一個空穴。然後,這些電子會在晶格周圍四處遊蕩,尋找另一個空穴來安身。這些電子被稱為自由載流子,它們可以運載電流。將純矽與磷原子混合起來, 只需很少的能量即可使磷原子(最外層五個電子)的某個“多餘”的電子逸出,當利用磷原子摻雜時,得到的矽被成為N型(“n”表示負電),太陽能電池只有一部分是N型。另一部分矽摻雜的是硼,硼的最外電子層只有三個而不是四個電子,這樣可得到P型矽。P型矽中沒有自由電子