多能谷半導體

Si的導帶在Brillouin 區的>111

多能谷半導體(Multi- energy valley semiconductor) :
是指具有多個導帶極小值的半導體。常見的Ge、Si、GaAs都屬於這種半導體。
Si的導帶在Brillouin區的<100>軸上有6個等價的極小值（相應的波矢約等於最大波矢的0.85倍）；Ge的導帶在Brillouin區的<111>軸上有4個等價的極小值（在Brillouin區邊緣上，相應的波矢最大）；GaAs的導帶在Brillouin區中心有一個能量最低的極小值（常常稱為主能谷），並且在接近Brillouin區邊緣處的<111>軸上有8個等價的能量約高0.31eV的極小值（常常稱為次能谷）。