唐明華[湘潭大學物理與光電工程學院教授]

唐明華，男，黨員，工學博士，教授，湘潭大學物理與光電工程學院博士生導師 。

個人簡介

唐明華，男，黨員，工學博士/教授，博士生導師，湖南省普通高校學科帶頭人(微電子學與固體電子學)，韶峰學者。1988年7月畢業於湘潭大學物理系無線電物理專業。2003年9月至2004年9月在清華大學微電子研究所學習微電子專業課程，熟悉積體電路設計、製造和測試的基本原理及工藝方法。2007年獲湘潭大學材料物理與化學專業微電子材料與器件方向博士學位。2008年8月至2009年8月日本東京工業大學(Research Lab. of Advanced Integrated Electronics of the Department of Electronics and Applied Physics, TIT)高級訪問學者，參與由TIT、Fujitsu公司和Toshima公司聯合資助的鐵電存儲器(65nm半導體技術工藝)的研發工作。2011年6月至2011年9月受國家留學基金資助到新加坡南洋理工大學(Nanyang Technology University & A*STAR)做高級訪問學者。IEEE會員，中國材料學會高級會員，湖南省核學會副理事長。

研究方向

鐵電薄膜存儲器(FeRAM/FeFET)、阻變存儲器(RRAM)、多鐵隧道結及器件；

磁電超晶格薄膜及相關器件；

積體電路設計。

1.

鐵電薄膜存儲器(FeRAM/FeFET)、阻變存儲器(RRAM)、多鐵隧道結及器件；

2.

磁電超晶格薄膜及相關器件；

3.

積體電路設計。

科研項目

1. 2015.01-2018.12，基於自旋極化多鐵隧道結的多值存儲研究，國家自然科學基金面上項目(51472210)；

2. 2013.01-2016.12，鐵電柵場效應電晶體存儲器的單粒子效應研究，國家自然科學基金面上項目(61274107)；

3.2011.01-2013.12，LCMO/BNT磁電超晶格複合薄膜與磁電耦合效應調製，國家自然科學基金面上項目(51072171)；

4. 2009.01-2011.12，無鉛鐵電薄膜場效應電晶體的保持性能，國家自然科學基金面上項目(60876054)；

5. 2011.01-2011.12，2011年中日鐵電材料及其套用會議，國家自然科學基金項目(5111030506)。

學術論文

1.Xudong Wang, Jianlu Wang, Peng Wang, Weida Hu, Xiaohao Zhou, Nan Guo, Shuo Sun, Hong Shen, Tie Lin, Minghua Tang, Lei Liao, Anquan Jiang, Jinglan Sun, Xiangjian Meng, Xiaoshuang Chen, Wei Lu, Junhao Chu. Ultrasensitive and broadband MoSphotodetector driven by ferroelectrics.Advanced Materials, 27(42) (2015) 6575-6581.

2.W. L. Zhang, M. H. Tang *, Y. Xiong, K. Wang, Z. P. Wang, Y. G. Xiao, S. A. Yan, Z. Li and J. He. Improvement of the nucleation and electrical properties of BiNdTiMnOthin films with various temperature annealed BiTiOseeding layer.RSC Advances, 6(2016) 88668-88673.

3.S. A. Yan, W. Zhao, H. X. Guo, Y. Xiong, M. H. Tang, Zheng Li, Y. G. Xiao, W. L. Zhang, H. Ding, J. W. Chen, and Y. C. Zhou. Impact of total ionizing dose irradiation on Pt/SrBiTaO/HfTaO/Si memory capacitors.Applied Physics Letters, 106(1) (2015) 012901.

4.S. T. Li, J. C. Li, X. C. Gu, H. Y. Wang, M. H. Tang, and Z. W. Zhuang. A widely-tunable 5 dB-NF 90 dB-Gain 85 dB-DR CMOS TV receiver with digital-assisted calibration for multi-standard DBS application.IEEE Journal of Solid-State Circuits, 48(11) (2013) 2762-2774.