各向異性磁電阻效應(AMR)是指鐵磁材料的電阻率隨自身磁化強度和電流方向夾角改變而變化的現象。它的微觀機制是基於自旋軌道耦合作用誘導的態密度及自旋相關散射的各向異性。這一點有別於其他依賴於自旋電子注入和檢測的磁電阻效應(如GMR、TMR等)。
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磁電阻效應
在通有電流的金屬或半導體上施加磁場時,其電阻值將發生明顯變化,這種現象稱為磁致電阻效應,也稱磁電阻效應(MR)。
介紹 磁電阻 效應分類 套用 -
磁致電阻效應
在通有電流的金屬或半導體上施加磁場時,其電阻值將發生明顯變化,這種現象稱為磁致電阻效應,也稱磁電阻效應(MR)。目前,已被研究的磁性材料的磁電阻效應可以...
介紹 磁致電阻效應機理 磁敏電阻材料 -
磁敏電阻材料
磁敏電阻材料的電阻值隨外旋磁場的變化而變化。與霍爾器件相比,磁敏電阻結構簡單、可將多個元件集成在同一基片上,使溫度係數很小(達10/℃)。磁敏電阻有半導...
特點 套用 材料組成 發展趨勢 -
磁感測器
磁感測器是把磁場、電流、應力應變、溫度、光等外界因素引起敏感元件磁性能變化轉換成電信號,以這種方式來檢測相應物理量的器件。 磁感測器廣泛用於現代工業和電...
定義 發展趨勢 發展歷程 磁感測器的套用與市場 -
鐵磁層
鐵磁層是指層狀薄膜中具有鐵磁性的層,在鐵磁性物質內部,如順磁性物質,有很多未配對電子。由於交換作用,這些電子的自旋趨於與相鄰未配對電子的自旋呈相同方向。
鐵磁層簡介 鐵磁多層膜 鐵磁/非鐵磁/鐵磁層狀薄膜 反鐵磁層 -
磁阻效應
磁阻效應(Magnetoresistance Effects)的定義:是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。金屬或半導體的載流子在磁場...
含義 工作原理 分類 發展經歷 套用 -
隧穿磁阻效應
隧穿磁阻效應(又稱穿隧磁阻效應)是指在鐵磁-絕緣體薄膜-鐵磁材料中,其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應。
定義 隧穿磁電阻 研究進展 量子隧穿 介觀體系中的隧穿磁阻效應 -
氧化鎂磁隧道結
氧化鎂磁隧道結是指以氧化鎂為絕緣勢壘層的磁隧道結。磁隧道結的一般結構為鐵磁層 /非磁絕緣層 /鐵磁層(FM/I/FM)的三明治結構。氧化鎂磁隧道結巨大的...
磁隧道結 氧化鎂磁隧道結簡介 微結構對磁電阻效應的影響 自由層厚度的影響 -
磁存儲技術
的主要進展。磁存儲信息在磁存儲中信息的記錄與讀出原理是磁致電阻效應。磁致...,由感應磁頭寫,磁致電阻磁頭讀。 1.1記錄過程在硬磁碟中寫入信息...。 1.2讀出過程讀出過程採用巨磁電阻GMR(GianMagneto...