特點
磁敏電阻的顯著特點:在弱磁場中阻值與磁場的關係成平方律增加;在強磁場中阻值按線性關係增加,並有很高的靈敏度。磁敏電阻器多為片形,外形尺寸較小。
套用
磁敏電阻器的套用:一般用於磁場強度、漏磁、制磁的檢測;在交流變換器、頻率變換器、功率電壓變換器、位移電壓變換器、等電路中作控制元件;還可用於接近開關、磁卡文字識別、磁電編碼器、電動機測速等方面或製作磁敏感測器用。
材料組成
半導體磁敏電阻材料主要是InSb、InAs晶體或薄膜,以及InSb-NiSb共晶體和InSb-In共晶薄膜等。InSb磁敏電阻分為體型和薄膜型兩種。薄膜型採用真空蒸發或真空濺射工藝製備,以真空蒸發為主。薄膜型InSb磁敏電阻的磁溫度特性優於體型InSb磁敏電阻。InAs的溫度特性則優於InSb。InSb-NiSb共晶體中,電阻率比InSb小得多的NiSb以針狀體形式定向排列,這樣就等於在共晶體中嵌入了許多金屬絲,使InSb的磁阻效應得以明顯改善。InSb-In共晶薄膜中的In以針狀結晶體形式定向排列於<111>取向的InSb薄膜中,也起到改善InSb材料磁阻效應的作用。
發展趨勢
強磁性薄膜磁敏電阻材料是指一類具有磁各向異性效應的磁敏材料。這類材料在磁化方向平行於電流方向時,阻值最大,在磁化方向垂直於電流方向時,阻值最小。因此,改變磁化方向與電流方向的夾角,即可改變強磁性薄膜磁敏電阻材料的阻值。強磁性薄膜磁敏電阻材料主要是Ni-Co合金薄膜和Ni-Fe合金薄膜。
磁敏電阻材料的發展與半導體材料的開發密切相關。發展趨勢是:開發高準確度、高靈敏度、低噪聲,高穩定性和可靠性以及多功能的磁敏器件與材料;研製非金屬和金屬化合物半導體、固溶體半導體、共晶體和共晶薄膜磁敏材料。