基本信息
姓名：史俊傑 職稱：教授 博士生導師
個人簡歷
學位：1. 博士學位 (澳大利亞，悉尼，Macquarie 大學物理系，2000年)
2. 碩士學位 (北京，中國科學院物理研究所，1992年)
3. 學士學位 (河南師範大學物理系，1983年)
工作經歷：1. 2001.6--現在：教授，博士生導師，北京大學物理學院
2. 2000.6--2001.6: 博士後，香港科技大學物理系
3. 1999.12--2000.5: 博士後，澳大利亞Macquarie 大學物理系
4. 1997.2--1999.12: 博士研究生，Macquarie大學物理系
5. 1993.11--1997.1: 1993年11月被河南省人民政府破格晉升副教授，碩士研究生導師，
河南師範大學物理系
6. 1992.2--1993.10: 講師，河南師範大學物理系
7. 1989.9--1992.1: 碩士研究生，中國科學院物理研究所
主要研究領域：1. 凝聚態理論
2. 計算物理
3. 低維半導體物理
4. 半導體光學和電子學
主要研究方法: 基於密度泛函理論的第一性原理計算，微擾理論，變分法，傳遞矩陣方法，格林函式方法，
Hartree--Fock 理論，有限元方法，有限差分方法等。
承擔研究項目: 目前主要在研項目：
1. 國家自然科學基金面上項目“無序對InGaN量子阱/納米線異常發光性質的影響”。
2. 國家自然科學基金重大研究計畫項目“無序對石墨烯體系中電子結構和量子效應的影響”。
3. 國家科技部973項目“全組分可調III族氮化物半導體光電功能材料及其器件套用”。
歡迎對以上工作感興趣的有志青年學生（者）報考我的博士研究生或做博士後研究。
教學與教材
主要講授課程: 固體理論，固體物理，半導體物理，半導體理論，熱力學和統計物理學，超晶格和量子阱物理，量子力學。
研究生培養
共招收指導研究生16名（博士生4名，碩士生12名）。目前有2名博士和1名碩士研究生在讀。
畢業的研究生主要在美國、加拿大、英國等國繼續攻讀學位或工作，部分在國內高校或研究所工作。
審稿專家
Adv. Mater., Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, J. Appl. Phys.等國際、國內十多種重要SCI刊物審稿專家。
主要研究成果列舉
給出了量子阱中電子擴展態波函式與態密度的正確表達式，是對現有量子力學教科書的有益補充[Phys. Rev. B 55, 4670 (1997); Z. Phys. B 102, 207 (1997)]；
指出纖鋅礦氮化物半導體量子異質結構存在五種光學聲子模：傳播模、準受限模、界面模、半空間模和嚴格受限模[Phys. Rev. B 68, 165335 (2003); Phys. Rev. B 70, 115318 (2004); Eur. Phys. J. B 44, 401 (2005)]；
討論了InGaN類量子點的空間受限與強壓電場這一對相互矛盾的因素對激子態和光學性質的影響[J. Appl. Phys. 94, 407 (2003); J. Appl. Phys. 97, 083705 (2005)]；
基於第一性原理計算，我們發現：In原子在InGaN合金中更傾向於均勻分布（體系能量最低）；由於小的能量差（與In均勻分布相比），體系也可以存在由少數In-N原子形成的“小原子團簇”或短的“In-N-In-N-…”原子鏈；價帶頂的價電子高度局域在由少數In-N原子形成的“小原子團簇”周圍。正是這些高度局域的價電子顯著改進InGaN合金材料的發光效率[Acta Materialia 59, 2773 (2011); Phys. Lett. A 374, 4767 (2010)]；
基於第一性原理計算，我們首次研究了4H-SiC:Al玻璃態鐵磁性的物理起因。我們發現4H-SiC中碳空位缺陷的形成能被摻雜的Al原子顯著降低。AlV複合缺陷在SiC帶隙中誘導一個半滿的窄a能級，它貢獻1μ的淨局域磁矩。沿不同的方向，交換參數J既可以取正值，也可以取負值。正是J的強各向異性和a能級的關聯效應直接導致4H-SiC:Al玻璃態鐵磁性[Phys. Lett. A 374, 3230-3233 (2010)]；
基於第一性原理計算，我們研究了富Ga的鋸齒型InGaN納米管電子結構和光學性質。結果表明：在InGaN納米管中，In原子無規替換Ga原子，一些典型的小In-N團簇，短In-N-鏈和In-N環能夠隨機形成。電子結構和光學性質不靈敏地依賴於In原子分布。在價帶頂和導帶底附近有尖的態密度峰，復介電函式的虛部也有一個與帶邊躍遷密切相關的尖峰。In摻雜能夠有效調整帶隙、增加帶邊吸收峰和態密度[J. Phys. Chem. C 114, 21943-21947 (2010)]。
1.給出了量子阱中電子擴展態波函式與態密度的正確表達式，是對現有量子力學教科書的有益補充[Phys. Rev. B 55, 4670 (1997); Z. Phys. B 102, 207 (1997)]；
2.指出纖鋅礦氮化物半導體量子異質結構存在五種光學聲子模：傳播模、準受限模、界面模、半空間模和嚴格受限模[Phys. Rev. B 68, 165335 (2003); Phys. Rev. B 70, 115318 (2004); Eur. Phys. J. B 44, 401 (2005)]；
3.討論了InGaN類量子點的空間受限與強壓電場這一對相互矛盾的因素對激子態和光學性質的影響[J. Appl. Phys. 94, 407 (2003); J. Appl. Phys. 97, 083705 (2005)]；
4.基於第一性原理計算，我們發現：In原子在InGaN合金中更傾向於均勻分布（體系能量最低）；由於小的能量差（與In均勻分布相比），體系也可以存在由少數In-N原子形成的“小原子團簇”或短的“In-N-In-N-…”原子鏈；價帶頂的價電子高度局域在由少數In-N原子形成的“小原子團簇”周圍。正是這些高度局域的價電子顯著改進InGaN合金材料的發光效率[Acta Materialia 59, 2773 (2011); Phys. Lett. A 374, 4767 (2010)]；
5.基於第一性原理計算，我們首次研究了4H-SiC:Al玻璃態鐵磁性的物理起因。我們發現4H-SiC中碳空位缺陷的形成能被摻雜的Al原子顯著降低。AlV複合缺陷在SiC帶隙中誘導一個半滿的窄a能級，它貢獻1μ的淨局域磁矩。沿不同的方向，交換參數J既可以取正值，也可以取負值。正是J的強各向異性和a能級的關聯效應直接導致4H-SiC:Al玻璃態鐵磁性[Phys. Lett. A 374, 3230-3233 (2010)]；
6.基於第一性原理計算，我們研究了富Ga的鋸齒型InGaN納米管電子結構和光學性質。結果表明：在InGaN納米管中，In原子無規替換Ga原子，一些典型的小In-N團簇，短In-N-鏈和In-N環能夠隨機形成。電子結構和光學性質不靈敏地依賴於In原子分布。在價帶頂和導帶底附近有尖的態密度峰，復介電函式的虛部也有一個與帶邊躍遷密切相關的尖峰。In摻雜能夠有效調整帶隙、增加帶邊吸收峰和態密度[J. Phys. Chem. C 114, 21943-21947 (2010)]。
代表性論文
1992年至今，共發表SCI和EI收錄論文110餘篇。主要論文如下：
Jun-jie Shi, Shuai Zhang, Mao Yang, Shang-guo Zhu, and Min Zhang, “Light emission from several-atom In-N clusters in wurtzite Ga-rich InGaN alloys and InGaN/GaN strained quantum wells”, Acta Materialia 59, 2773-2782 (2011).
Zhi-qiang Bao, Jun-jie Shi, Mao Yang, Shuai Zhang and Min Zhang, “Magnetism induced by D3-symmetry tetra-vacancy defects in graphene”, Chem. Phys. Lett. 510, 246-251 (2011).
Shuai Zhang, Jun-jie Shi, Shang-guo Zhu, Fei Wang, Mao Yang, and Zhi-qiang Bao, “Indium distribution and light emission in wurtzite InGaN alloys: Several-atom In-N clusters”, Phys. Lett. A 374, 4767-4773 (2010).
Mao Yang, Jun-jie Shi and Min Zhang, “Electronic Structures and Optical Properties of Ga-Rich InGaN Nanotubes”, J. Phys. Chem. C 114, 21943-21947 (2010).
Mao Yang and Jun-jie Shi, “Glassy Ferromagnetism in Al-Doped 4H-SiC: AlVComplexes”, Phys. Lett. A 374, 3230-3233 (2010).
Jun-jie Shi, “Interface optical-phonon modes and electron-interface-phonon interactions in wurtzite GaN/AlN quantum wells”, Phys. Rev. B 68, 165335 (2003).
Jun-jie Shi, Xing-li Chu, and E.M. Goldys, “Propagating optical-phonon modes and their electron-phonon interactions in wurtzite GaN/AlGaN quantum wells”, Phys. Rev. B 70, 115318 (2004).
Jun-jie Shi and Zi-zhao Gan, “Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on localized excitons in self-formed InGaN quantum dots”, J. Appl. Phys. 94, 407-415 (2003).
Li Zhang, Jun-jie Shi, and T.L. Tansley, “Polar vibration spectra of interface optical phonons and electron-interface optical phonon interactions in a wurtzite GaN-AlN nanowire”, Phys. Rev. B 71, 245324 (2005).
Jun-jie Shi, Cong-xin Xia, Shu-yi Wei, and Zi-xin Liu, “Exciton states in wurtzite InGaN strained coupled quantum dots: Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization”, J. Appl. Phys. 97, 083705 (2005).
1.Jun-jie Shi, Shuai Zhang, Mao Yang, Shang-guo Zhu, and Min Zhang, “Light emission from several-atom In-N clusters in wurtzite Ga-rich InGaN alloys and InGaN/GaN strained quantum wells”, Acta Materialia 59, 2773-2782 (2011).
2.Zhi-qiang Bao, Jun-jie Shi, Mao Yang, Shuai Zhang and Min Zhang, “Magnetism induced by D3-symmetry tetra-vacancy defects in graphene”, Chem. Phys. Lett. 510, 246-251 (2011).
3.Shuai Zhang, Jun-jie Shi, Shang-guo Zhu, Fei Wang, Mao Yang, and Zhi-qiang Bao, “Indium distribution and light emission in wurtzite InGaN alloys: Several-atom In-N clusters”, Phys. Lett. A 374, 4767-4773 (2010).
4.Mao Yang, Jun-jie Shi and Min Zhang, “Electronic Structures and Optical Properties of Ga-Rich InGaN Nanotubes”, J. Phys. Chem. C 114, 21943-21947 (2010).
5.Mao Yang and Jun-jie Shi, “Glassy Ferromagnetism in Al-Doped 4H-SiC: AlVComplexes”, Phys. Lett. A 374, 3230-3233 (2010).
6.Jun-jie Shi, “Interface optical-phonon modes and electron-interface-phonon interactions in wurtzite GaN/AlN quantum wells”, Phys. Rev. B 68, 165335 (2003).
7.Jun-jie Shi, Xing-li Chu, and E.M. Goldys, “Propagating optical-phonon modes and their electron-phonon interactions in wurtzite GaN/AlGaN quantum wells”, Phys. Rev. B 70, 115318 (2004).
8.Jun-jie Shi and Zi-zhao Gan, “Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on localized excitons in self-formed InGaN quantum dots”, J. Appl. Phys. 94, 407-415 (2003).
9.Li Zhang, Jun-jie Shi, and T.L. Tansley, “Polar vibration spectra of interface optical phonons and electron-interface optical phonon interactions in a wurtzite GaN-AlN nanowire”, Phys. Rev. B 71, 245324 (2005).
10.Jun-jie Shi, Cong-xin Xia, Shu-yi Wei, and Zi-xin Liu, “Exciton states in wurtzite InGaN strained coupled quantum dots: Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization”, J. Appl. Phys. 97, 083705 (2005).
11.