受激喇曼散射
正文
某物質能級1與能級2之間的能量差為h墹v（見圖），當頻率為v的單色光入射到此介質中時,如處於能級 1的介質分子吸收一個入射光子而躍遷到某個虛能級上，並從此虛能級躍遷回到能級2上,同時發射一個頻率為vs＝v-墹v的散射光子,則vs線稱為喇曼散射的斯托克斯線。若處於能級 2上的分子吸收一個入射光子，隨後從虛能級躍遷回到能級1上,並發射一個頻率為va＝v＋墹v的散射光子，則va線稱為喇曼散射的反斯托克斯線。當入射光強較弱時,散射過程基本上是自發散射,即普通的喇曼散射。當入射光是很強的雷射時，受激散射成為主導的。散射光的這種變化過程有明顯的閾值。入射光強超過此閾值後,散射光的強度突然增大,並有很高的方向性、單色性和相干性。這就是受激喇曼散射。受激喇曼散射可用於物質結構的研究，同時又是產生具有新波長的雷射的一種方法。基於此效應而製成的喇曼移頻器，已使雷射輸出波長擴展到遠紅外和真空紫外範圍。利用後向喇曼散射，可以壓縮雷射脈衝的寬度，從而獲得極高的峰值功率。(見彩圖)
受激喇曼散射
受激喇曼散射