簡介
反應蒸鍍法就是把活性氣體導入真空室，使活性氣體的原子、分子和從蒸發源蒸發出來的原子、分子發生反應，然後沉積在基片上製備成化合物薄膜的一種方法。
粒子間的反應可以在空間(氣相狀態下)，也可以在基片上進行。反應的進行與蒸發溫度、蒸發速率、反應氣體的分壓強和基片溫度等因素有關。待蒸發的材料可以是金屬、合金或低價化合物。反應蒸鍍不僅用於熱分解嚴重的材料，而且用於因飽和蒸氣壓較低而難以採用熱蒸發的材料。
反應蒸鍍法及工藝過程
反應蒸鍍法是由加利福尼亞大學Banshah教授於1972年首先發明的，有人稱之為班薩法，這種方法具有廣泛的實用價值。下圖是典型的反應蒸鍍法的示意圖。
反應蒸鍍法的示意圖真空室分鍍膜室和電子槍工作室，其間以差壓板相隔。一般分別採用獨立的抽氣系統，保證在工作時，兩室有一定的壓差。離子鍍室的工作壓力為10 ～10 Pa，以便使放電、離子化、化學反應、沉積等得以順利進行；電子槍室的真空度為10 Pa以上，以便電子槍在較高的真空度下正常工作，各得其所。差壓板還能防止蒸發物飛濺落入電子槍工作室中。蒸發源採用e型電子槍。在蒸發源坩堝與工件之間裝有探極，它一般用Φ2mm～Φ5mm的鉬絲加工成環狀或網狀。探極上加25～40V的正偏壓，也可加150～250V。工件上方裝電阻加熱烘烤源，並以熱電偶測溫。
套用
反應蒸鍍法常用於製備高熔點的化合物薄膜，。例如在蒸發Ti時，加入CH氣體，可獲得硬質膜TiC；在蒸發Al時，加入NH氣，可製備AIN薄膜；又如蒸發SnO-InO混合物製備ITO透明導電膜時，通常 需要導入一定量的O
