反常光生伏特效應

反常光生伏特效應（英語：Anomalous photovaltaic effect）指從熱力學觀點，半導體器件所能產生的最大光生伏特電壓應等於它的能帶隙的寬度電壓。但有些半導體和絕緣體，如ZnS,當用紫外光照射時，能產生開路電壓比它的能帶隙寬高的光生伏特電壓.這種現象稱為反常光生伏特效應。