原子層腐蝕技術

光子-內部結構模型圖

原子層腐蝕技術（ALE）是一種重要的納米級加工技術。其基本原理是：首先在襯底表面上吸附反應氣體分子，然後採用光、電子束或者離子束去激發氣體分子，使得氣體分子與襯底表面原子發生反應，從而去掉襯底表面的一個原子層；重複進行吸附-激發-反應，即可去掉襯底表面的多個原子層。
例如，在Si襯底表面上首先吸附一層F自由基（通過CF4和O2的混合氣體進行微波放電來得到），然後採用Ar離子（可通過ECR電漿來獲得）照射襯底表面，使得F與Si反應，從而去掉襯底表面的一個Si原子層；接著，再讓Si襯底表面上吸附一層F自由基，並再用Ar離子照射，這又通過形成F-Si反應物而去掉一層Si原子；如此反覆進行，即可去掉Si襯底表面的數個原子層。

電子-內部結構模型圖