公司簡介
該公司資本額403億台幣，員工人數約4000人，總公司位於華亞科技園區，生產基地為一座八吋晶圓廠及一座十二吋晶圓廠，分別位於桃園南崁及泰山南林園區。南亞科技多年來專注於研發及智慧財產權的建立，並已培養近800人的研發團隊。
在製程進度上，南亞科技的42納米製程技術已於2010年第四季開始量產，計畫於2011年中全數可轉換至42納米(不包含部份為利基型記憶體產品線所保留的產能)，以2Gb DDR3晶片生產為主，將於下半年導入4Gb DDR3的產品。3X納米製程技術規劃將於今(2011)年第二季導入投片。南亞科技致力擁有自主技術及經營自有品牌，並持續強化高附加價值利基型(非標準型)記憶體戰線，期能進一步提升台灣DRAM產業在國際的競爭力。
為提升技術力與競爭力，南亞科技於2008年4月與美國美光公司(Micron)簽訂10年共同研發契約，共同致力於先進制程技術，開發更高附加價值產品。南亞科技與美國美光公司(Micron)簽訂50納米以下製程技術共同開發契約，自2008年12月起共同分享華亞科技的產出。華亞科技已於2010年第四季完成50納米技術轉換，並達產能滿載每月13萬片之投片。華亞科技計畫於2011年第一季開始42納米量產，且於2011年年中完成絕大多數的產能轉換。此策略聯盟，與美光共同研發，同時在台灣培養本土的研發人才，使技術在台生根，以達到永續經營的目標。
經營理念
「技術生根，永續經營」
致力於先進技術與產品的開發。同時在台灣培養本土的研發人才，使技術在台灣生根，永續發展。
充分利用已開發完成的先進制程技術，提升產品的價值，達到求取最大獲利的目標。
經營策略
經營目標 :
躋身成為世界一流DRAM記憶體及相關產品製造服務供貨商，以兩位數的全球市場占有率為目標。
南亞科技除鞏固其在標準型記憶體市場市占率外，更積極經營利基型（非標準型）記憶體市場，包括伺服器用記憶體、消費型記憶體及行動式記憶體(Mobile RAM)三大核心產品線的研發、生產及銷售。在伺服器用記憶體及消費型記憶體領域已有優異成績表現，且行動式記憶體領域正逐漸茁壯。預期這些高附加價值產品在2011年占總營業額比重可提高至三成以上，可為南科銷售量帶來逐月成長，且期許2012年能挑戰營收過半的策略目標。非標準型記憶體利潤較高且市場穩定，屬高附加價值的產品，南科致力強化該記憶體戰線，期能進一步提升台灣DRAM產業在國際的競爭力。
經營策略 :
秉持台塑企業「追根究柢，實事求是」之經營理念，南科致力於擁有自主技術及經營自有品牌。
南科與美光采共同研發，目標在2012年達到自主研發目標。
南科長期經營自有品牌，品牌銷售占出貨量超過90% ，其中OEM客戶(如聯想、宏碁、華碩、 HP 、 Dell等)占75%，且在供貨商評比中名列前茅。
在台灣設立製程技術研發中心，與技術夥伴美光同步研發，並以最先進的技術，於最大的生產基地量產，獲得最大利益。
技術發展
南亞科技認知技術發展為經營記憶體產業的命脈，於2008年4月與美國美光(Micron)簽訂50納米以下製程與產品共同開發合作，共同致力於先進制程與產品的開發。50納米世代正在導入生產中，42納米預計2010年下半年開始量產，30納米正在研發中。我們與美光公司共同研發，同時在台灣培養本土的研發人才，使技術在台灣生根，以達到永續經營的目標。
質量政策
南亞科技深知企業欲永續生存，須以顧客導向作為經營基礎。我們將不斷地投注於製程技術的提升，與藉由有效的員工訓練，使檔案、操作程式、原物料、製程環境、量測儀器、與製程控制等能趨於完整與一致，以求取更高的質量保證標準，提供更優質的服務。
「我們秉持追根究底、實事求是的精神，精益求精，以滿足客戶對產品質量、交期及服務的需求。」 －－－連日昌 總經理
質量承諾
提供滿足客戶對產品質量、交期及服務之需求為本公司對客戶之承諾與努力達成之目標，此一承諾與目標將依ISO 9001 及 ISO/TS 16949質量管理系統為最高指導原則及各部門作業之依據，透過全員參與使全體人員了解並貫徹實施質量政策
質量系統
為有效整合企業的組織、責任、程式、過程與資源等質量管理活動，作為達成既定政策及目標的手段，質量系統的建立，應滿足下列的功能發展：
質量系統能為公司員工（視各單位職能別）了解且有效運作。
提供滿足客戶的產品。
強調事前預防而非事後追查。
大事紀要
1994年
5月 南亞塑膠股份有限公司與日本沖電氣株式會社(OKI)簽訂16Mb DRAM技術移轉契約
1995年
1月 晶圓一廠動土興建
3月 南亞科技正式成立於1995年3月4日
4月 與日本沖電氣株式會社(OKI)、南亞塑膠股份有限公司簽訂三方面備忘錄，承接原南亞塑膠與OKI 16Mb DRAM技術案之所有權利義務
1996年
7月 16Mb DRAM試產成功
10月 正式銷售開始
11月 與日本沖電氣株式會社(OKI)簽訂0.36 ~ 0.32微米(μm) 64Mb DRAM技術授權契約投資於美國矽谷成立產品設計公司GSI
1997年
6月 獲得勞氏ISO-9002品質認證
7月 南亞科技美國分公司NTC-USA成立
8月 64Mb DRAM投片試產
1998年
4月 晶圓二廠動土興建
11月 與IBM公司簽訂0.2~0.175微米(μm) 64~256Mb DRAM技術移轉契約公司單月營業額突破新台幣10億元
12月 獲得勞氏ISO-14001環境系統管理認證成立美國德州休斯敦產品設計中心
1999年
10月 0.20微米(μm) 64Mb SDRAM 開始量產
2000年
2月 晶圓二廠開始投片試產
8月 128Mb SDARM及DDR DRAM試產成功
8/17南亞科技正式在台灣掛牌上市
10月 與IBM公司簽訂0.14/0.11微米(μm)共同研發契約
12月 二廠獲得勞氏ISO-9001品質認證
2001年
1月 通過IBM Tier 1質量系統驗證
5月 與SST公司簽訂0.25/0.18微米(μm)代工及高階快閃記憶體共同研發契約
6月 全面量產0.175微米(μm) 128Mb/256Mb DRAM
2002年
4月 成立南亞科技(香港)股份有限公司
9月 成立日本東京分公司
11月 與德國英飛凌公司簽訂0.09 / 0.07 微米共同研發技術契約，併合資設立12吋晶圓廠「華亞科技」
12月 華亞科技破土典禮
二廠獲ISO-14001認證
一廠&二廠獲OHSAS 18001認證
2003年
1月 成立德國分公司
成立崑山辦事處
12月華亞科技正式裝機典禮
2004年
5月 南亞科技通過DDR2產品Intel AVL認證
10月 華亞科技月產能達到24,000片，以0.11mn製程技術為主
12月 90納米DDR2開始投片試產
2005年
4月 高階伺服器用DDR2記憶體模組通過國際大廠認證，進軍伺服器用記憶體市場
華亞科技上興櫃掛牌
5月 華亞科技第二座12吋晶圓廠動土
6月 90納米技術研發成功並通過認證
9月 與英飛凌簽訂60納米共同研發技術契約
2006年
3月 第一座十二吋廠，晶圓三廠動土興建
9月 70/75納米(與奇夢達共同研發)技術成功通過認證
10月 南亞科（上海）科技貿易限公司成立
2007年
3月 三A廠無塵室興建
5月 三A廠機台設備Move-in
10月 90納米製程量產
2008年
4月 與美光科技簽署共同研發技術契約
11月 南科3A廠70納米製程達到第一期全產能3萬4千片
12月 南科三廠通過英國勞氏(Lloyd’s)ISO14001環境管理系統認證及OHSAS 18001安全衛生管理系統認證
2009年
6月 完成減資66%並增資台幣122億元，增資後資本額為台幣257億元
6月 導入68納米堆疊式製程技術生產1Gb DDR3產品
7月 導入50納米堆疊式製程技術生產1Gb DDR3產品
12月 完成現金增資新台幣160億元，增資後資本額為新台幣340億元
2010年
7月 7月5日成功試產42納米製程技術
10月 42納米製程技術於第4季開始量產
12月 完成現金增資新台幣99億元，增資後資本額為新台幣403億元
