基本信息
化學吸附的量子力學繪景
作者： 張輝 劉士陽 張國英 定價： ¥ 45.00 元
出版社： 科學出版社 出版日期： 2004年06月
ISBN： 7-03-013539-3/O.1993 開本： 16 開
類別： 物理化學 頁數： 224 頁
圖書簡介
本書著重從微觀角度——即從量子力學的角度，較完整地介紹了化學吸附的全過程。從化學吸附的基本概念入手，介紹了化學吸附的各種巨觀物理量及目前常見的實驗手段和實驗過程；以量子力學為理論基礎，重點描述了不同襯底的表面態密度和局域態密度，並對其化學吸附的性質進行了有效分析；針對化學吸附模型的建立，給出各種數學處理的方法和計算機模擬的手段，並將這些模型和手段直接套用到各種實際的化學吸附系統之中，使理論形式更為具體，同時也可加深對理論的理解。從結構上，本書力求做到由淺入深、由表及里、由現象到本質，逐層深入地對化學吸附內容進行闡述，以符合廣大讀者的認知規律。
圖書目錄
第一章 化學吸附的巨觀物理量及實驗過程
1·1 化學吸附的基本概念
1·1·1 吸附的種類及其區別
1·1·2 描述吸附的物理量
1·1·3 平衡吸附規律的描述
1·1·4 化學吸附的表面結構
1·2 表面分析概述
1·2·1 如何獲得表面信息
1·2·2 表面探針的選擇
1·2·3 相關的測量儀器
1·3 電子衍射及套用
1·3·1 引言
1·3·2 由LEED圖像直接推斷表面的二維結構
1·3·3 LEED實驗裝置
1·3·4 清潔表面和有序化學吸附層結構的部分測量結果
1·4 俄歇電子譜(AES)
1·4·1 俄歇電子發射的機理
1·4·2 俄歇電子譜儀的結構
1·4·3 的套用
1·5 光電子譜(PES)
1·5·1 光電子譜(PES)的發展和分類
1·5·2 光電子譜(PES)的基本原理
1·5·3 光電子譜(PES)的實驗裝置
1·5·4 X射線光電子譜(XPB)的套用
1·5·5 光電子譜(PES)的實驗結果
1·6 場發射顯微鏡(FEM)和場離子顯微鏡(FIM)
1·6·1 場致電子發射的基本原理
1·6·2 場發射顯微鏡(FEM)
1·6·3 場發射顯微鏡(FEM)的套用
1·6·4 場離子顯微鏡(FIM)
1·7 掃描隧道顯微鏡(STM)
1·7·1 STM工作原理
1·7·2 STM儀器裝置
1·7·3 STM特點與測量舉例
1·8 其他能譜技術
參考文獻
第二章 化學吸附的量子理論基礎
2·1 表面態理論概述
2·2 理想簡單金屬表面電子結構
2·2·1 金屬體內的電子狀態
2·2·2 有效體態密度、表面態密度、局域態密度和積分態密度
2·2·3 金屬表面電子態——準自由電子氣模型
2·3 理想半導體的表面態
2·3·1 NFE模型中的電子狀態
2·3·2 晶體中的實數k能帶和表面區的複數k能帶
2·3·3 基於NFE模型的窄禁帶半導體表面態的形成
2·3·4 窄禁帶半導體表面態密度
2·4 密度泛函理論簡述
2·4·1 Hohenberg-Kohn定理
2·4·2 局域密度近似(LDA)
參考文獻
第三章 不同襯底表面的化學吸附簡述
3·1 小分子在膠體(簡單金屬)表面的化學吸附
3·1·1 線性回響理論
3·1·2 有效單電子薛丁格方程
3·1·3 計算結果與討論
3·2 半導體表面的化學吸附
3·2·1 半導體表面的一般性質
3·2·2 半導體清潔表面與化學吸附表面的計算方法
3·2·3 計算結果與討論
3·3 d能帶金屬表面的化學吸附
3·3·1 d能帶金屬表面的特點
3·3·2 簡單的理論處理方法
3·3·3 自洽處理的理論方法
參考文獻
第四章 化學吸附系統模型的建立
4·1 Hatree-Fock近似
4·1·1 Hatree方程
4·1·2 Hatree-Fock方程
4·1·3 開殼無約束Hatree-Fock(UHF)近似
4·1·4 開殼有約束Hatree-Fock(RHF)近似
4·2 格林函式方法簡述
4·2·1 格林函式的定義及與之相關的物理量
4·2·2 Dyson方程
4·3 兩種常見的數學處理
4·3·1 Kramers-Kronig關係
4·3·2 復能面積分技術
4·4 紐恩斯-安德森(Newns-Anderson)化學吸附模型
4·4·1 P.W.Anderson能量哈密頓量
4·4·2 Newns-Anderson模型理論框架
4·4·3 Newns-Anderson模型的進一步討論
4·5 愛因斯坦-施里弗(Einstein-Schrieffer)化學吸附模型
4·5·1 襯底和表面吸附原子的波函式
4·5·2 ES理論模型框架
4·5·3 基本方程進一步討論
4·6 戴維森(Davison)化學吸附模型
4·6·1 一維軌道鏈模型
4·6·2 Davison模型理論框架
4·6·3 基本方程的進一步討論
參考文獻
第五章 數學方法和計算機模擬手段
5·1 虛擬晶體近似(VCA)
5·1·1 有限數目雜質的處理
5·1·2 無限數目雜質的處理
5·1·3 VCA近似
5·2 平均T矩陣近似(ATA)
5·3 相干勢近似(CPA)
5·3·1 相干勢近似(CPA)的原理
5·3·2 CPA方法的改進——BPA
5·4 連分數方法(CFT)
5·4·1 連分數方法(CFT)的理論基礎
5·4·2 CFT方法與CPA方法的對比
5·5 計算機模擬的簇原子模型方法
5·5·1 簇原子模型的理論基礎
5·5·2 簇原子模型在化學吸附中的套用
參考文獻
第六章 化學吸附理論的套用
6·1 過渡金屬原子在襯底表面的化學吸附
6·1·1 一般處理方法
6·1·2 去耦合方法
6·1·3 套用去耦合方法所得結果與討論
6·2 無序合金表面的化學吸附
6·2·1 合金襯底的特點及其處理方法
6·2·2 化學吸附系統模型的建立
6·2·3 理論處理方法
6·2·4 不同化學吸附系統的結果與討論
6·3 雜質對化學吸附的影響
6·3·1 含雜化學吸附系統模型的建立
6·3·2 理論處理方法
6·3·3 雜質在不同的化學吸附系統中的處理結果與討論
6·4 載體催化劑表面的化學吸附
6·4·1 載體催化劑化學吸附系統模型的建立
6·4·2 理論處理方法
6·4·3 不同載體催化劑的理論處理結果與討論
6·5 計算機模擬方法在化學吸附中的套用
6·5·1 自洽電荷EHI的基本理論簡述
6·5·2 簇模型的建立和選取
6·5·3 計算結果與討論
