劉衛麗

劉衛麗，女，1975年6月生，博士，中共黨員，中科院上海微系統所研究員，博士生導師，支部書記。 主要從事SOI新材料和器件、納米電子材料和器件的研究，在SOI方面，進行了SOI創新技術研究，突破4英寸SOI製備的關鍵技術；深入研究多孔矽外延技術，成功製備出ELTRAN MOS器件的自加熱效應的難題，創造性地研究成功以AlN、DLC為埋層的SOI新結構，並以SOI技術研究成功絕緣層上SiGe（SGOI），並在此基礎上研製出高質量應變矽材料。

劉衛麗，女，1975年6月生，博士，中共黨員，中科院上海微系統所研究員，博士生導師，支部書記。現為全國納米標準技術委員會微納加工技術標準化工作組副秘書長。 2002年獲中科院上海微系統所微電子學與固體電子學博士學位。2001.7-2002.7及2004.3-2004.7期間作為訪問學者赴香港城市大學和香港理工大學進行合作研究。
主要從事SOI新材料和器件、納米電子材料和器件的研究，在SOI方面，進行了SOI創新技術研究，突破4英寸SOI製備的關鍵技術；深入研究多孔矽外延技術，成功製備出ELTRAN SOI新材料，為解決常規SOI MOS器件的自加熱效應的難題，創造性地研究成功以AlN、DLC為埋層的SOI新結構，並以SOI技術研究成功絕緣層上SiGe（SGOI），並在此基礎上研製出高質量應變矽材料。同時研究了納米浮柵存儲器和相變存儲器，創新性地將埋嵌於HfO2、HfAlO等高k介質材料中納米Ge晶套用於納米浮柵存儲器，並在開闢C-RAM新研究方向做了大量的工作。近年來，先後在“Applied Physics Letters”等國內外刊物發表一百多篇，其中SCI論文60餘篇，申請發明專利20項，其中授權7項。現主持國家863項目、國家自然科學基金和上海市重點攻關項目等。2004年獲上海市青年科技啟明星、中國科學院優秀博士學位論文，2005年獲上海市科技進步一等獎（排名第11），2006年獲國家科技進步一等獎（排名第10），2007年獲中科院傑出科技成就獎（排名第10）、上海市青年科技啟明星跟蹤計畫。