切換時負載電流下降率

符號：dICOM/dt
含義:
dICOM/dt高，則dVCOM/dt承受能力下降。 結面溫度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降。假如雙向可控矽的dVCOM/dt的允許值有可能被超過，為避免發生假觸發，可在T1 和T2 間裝置RC緩衝電路，以此限制電壓上升率。通常選用47~100Ω的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF的電容，晶閘管關斷過程中主電流過零反向後迅速由反向峰值恢復至零電流，此過程可在元件兩端產生達正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在儘可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收迴路。