原因
產生共沉澱的原因有：①表面吸附，由於沉澱表面的離子電荷未達到平衡，它們的殘餘電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。這種吸附是有選擇性的：首先，吸附晶格離子；其次，凡與晶格離子生成的鹽類溶解度越小的離子，就越容易被吸附；離子的價數愈高、濃度愈大，則愈容易被吸附。吸附是一放熱過程，因此，溶液溫度升高，可減少吸附。②包藏，在沉澱過程中，如果沉澱劑較濃又加入過快，則沉澱顆粒表面吸附的雜質離子來不及被主沉澱的晶格離子取代，就被後來沉積上來的離子所復蓋，於是雜質離子就有可能陷入沉澱的內部，這種現象稱為包藏，又叫吸留。由包藏引起的共沉澱也遵循表面吸附規律。例如，在過量氯化鋇存在下沉澱硫酸鋇時,沉澱表面首先吸附構晶離子Ba2+；為了保持電中性，表面上的Ba2+又吸引Cl-；如果晶體成長很慢，溶液中的硫酸鋇將置換出大部分Cl-；如果晶體成長很快,則硫酸鋇來不及交換Cl-, 就引起較大量的氯化鋇的包藏共沉澱。因為硝酸鋇比氯化鋇的溶解度小，所以鋇的硝酸鹽比氯化物更易被包藏。③生成混晶，如果晶形沉澱晶格中的陰、陽離子被具有相同電荷的、離子半徑相近的其他離子所取代，就形成混晶。例如,當大量Ba2+和痕量Ra2+共存時，硫酸鋇就可和硫酸鐳形成混晶同時析出，這是由於二者有相同的晶格結構,Ra2+和Ba2+的離子大小相近的緣故。
意義
共沉澱現象是玷污沉澱的主要因素，要通過沉澱反應在溶液中獲得絕對純的沉澱是不可能的。在重量分析中，總是設法減少共沉澱的影響。洗滌和陳化是經常採取的措施，它們雖然對減少混晶共沉澱無能為力，卻可以有效地減少表面吸附和包藏引入的雜質。改變雜質離子存在形式，降低沉澱速度，或採用均相沉澱，都是經常採取的措施，如這些方法不能奏效，還可採取再沉澱的方法。
共沉澱分離法
共沉澱分離法是富集痕量組分的有效方法之一，是利用溶液中主沉澱物（稱為載體）析出時將共存的某些微量組分載帶下來而得到分離的方法。例如,在痕量Ra2+存在下將硫酸鋇沉澱時,幾乎可載帶下來所有的Ra2+；當氯化銀沉澱時，可將溶液中極微量的金收集起來，予以富集。
