軟烘後，利用化學或光學的方法去除晶圓邊緣處的光刻膠，稱為光刻膠邊緣修復，也叫光刻膠去邊。
在光刻膠旋塗的過程中，多餘的膠會被離心力推到晶圓的邊緣，大部分被甩離晶圓，有一部分殘留在晶圓邊緣。由於晶圓邊緣氣流相對速度很大，導致殘留的膠很快固化，形成隆起的邊緣。在表面張力的作用下，少量的膠甚至沿著邊緣流到晶圓背面，對晶圓背面造成污染，如圖1所示[1]。且這部分膠容易發生剝離而影響其他部分的圖形，或者造成污染，需要在旋塗結束後立即去除 。
光刻膠邊緣修復圖1 多餘的膠在晶圓邊緣堆積，甚至在表面張力的作用下流到晶圓背面
去除方法：
化學方法（Chemical EBR），軟烘後，用PGMEA或EGMEA去邊溶劑，噴出少量在正反邊緣處，並小心控制不要達到光刻膠有效區域，如圖2所示 。
光學方法（Opitcal EBR），即矽片邊緣曝光（Wafer Edge Exposure,WEE）。在完成圖形的曝光後，用雷射曝光矽片邊緣，激發化學反應，這樣在最後顯影時，邊緣的光刻膠就與曝光圖形同時溶解在顯影液里，邊緣曝光裝置如圖3所示[1]。WEE的技術指標包括定位精度和曝光強度兩個方面。要求確定晶圓缺口位置的精度在±0.2°以內，邊緣曝光位置的精度可以控制在±0.3mm以內，邊緣曝光的功率應該大於400 mW/cm。邊緣曝光不能去除多餘的抗反射圖層，化學方可則可以 。
光刻膠邊緣修復圖2 邊緣光刻膠去除
光刻膠邊緣修復圖3邊緣曝光裝置結構示意圖
