互補金屬氧化物

互補金屬氧化物就是互補金屬氧化物半導體，是一種大規模套用於積體電路晶片製造的原料。

互補性氧化金屬半導體CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一樣同為在掃瞄器中可記錄光線變化的半導體。目前CMOS感光器件主要套用於少數名片掃瞄器和檔案掃瞄器。CMOS的製造技術和一般計算機晶片沒什麼差別，主要是利用矽和鍺這兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶–電） 和 P（帶+電）級的半導體，這兩個互補效應所產生的電流即可被處理晶片紀錄和解讀成影像。然而，CMOS的缺點就是太容易出現雜點, 這主要是因為早期的設計使CMOS在處理快速變化的影像時，由於電流變化過於頻繁而會產生過熱的現象。