TDLAS

TDLAS，即可調諧半導體雷射吸收光譜。該技術主要是利用可調諧半導體雷射器的窄線寬和波長隨注入電流改變的特性實現對分子的單個或幾個距離很近很難分辨的吸收線進行測量。

TDLAS是Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy的簡稱。
中文翻譯：可調諧半導體雷射吸收光譜
該技術主要是利用可調諧半導體雷射器的窄線寬和波長隨注入電流改變的特性實現對分子的單個或幾個距離很近很難分辨的吸收線進行測量。
主要部件：可調諧半導體雷射器，目前常用於TDLAS技術的可調諧半導體雷射器包括：法珀（Fabry-Perot）雷射器、分布反饋式(Distributed Feedback)半導體雷射器、分布布喇格反射（Distributed Bragg reflector）雷射器、垂直腔表面發射（Vertical-cavity surface-emitting）雷射器和外腔調諧半導體雷射器。
TDLAS通常是用單一窄帶的雷射頻率掃描一條獨立的氣體吸收線。為了實現最高的選擇性，分析一般在低壓下進行，這時吸收線不會因為壓力而加寬。這種測量方法是Hinkley和Reid提出的，現在已經發展成為了非常靈敏和常用的大氣中痕量氣體的監測技術。
它的主要特點包括：
(1) 高選擇性，高解析度的光譜技術，由於分子光譜的“指紋”特徵，它不受其它氣體的干擾。這一特性與其它方法相比有明顯的優勢。
(2) 它是一種對所有在紅外有吸收的活躍分子都有效的通用技術，同樣的儀器可以方便的改成測量其它組分的儀器，只需要改變雷射器和標準氣。由於這個特點，很容易就能將其改成同時測量多組分的儀器。
(3) 它具有速度快，靈敏度高的優點。在不失靈敏度的情況下，其時間解析度可以在ms量級。套用該技術的主要領域有：分子光譜研究、工業過程監測控制、燃燒過程診斷分析、發動機效率和機動車尾氣測量、爆炸檢測、大氣中痕量污染氣體監測等。
用途：(1)獲得分子結構的信息，(2)研究其動力學過程，(3)痕量氣體監測分析。
國內外研究狀況：
國外研究的較早，用在痕量氣體的檢測，溫室氣體通量的監測等方面。
國內主要是90年代末期開始，發展較快，特別是近十年來，以中科院安徽光學精密研究所、中科院半導體所為代表的國內科研機構，在環境監測，生態測量等方面，出了很多研究成果。